多顆平面高壓MOS進行合封提升產(chǎn)品內(nèi)部功率器件開啟與關(guān)閉性能
發(fā)布時間:2024/4/11 20:11:10 訪問次數(shù):137
為了加強對惡意攻擊的防御,AVR DU系列采用了Microchip的編程和調(diào)試接口禁用 (PDID) 功能。
啟用該功能后,增強的代碼保護可鎖定對編程/調(diào)試接口的訪問,阻止未經(jīng)授權(quán)的讀取、修改或擦除固件的嘗試。
為了實現(xiàn)安全固件更新,AVR DU系列采用了“邊寫邊讀”(RWW)閃存,結(jié)合安全引導(dǎo)加載程序,設(shè)計人員可以使用USB接口修補漏洞、解決安全問題和添加新功能,而不會中斷產(chǎn)品運行。AVR DU MCU的這一新增功能可實現(xiàn)不間斷的現(xiàn)場更新,有助于延長產(chǎn)品的使用壽命。
對于您提到的支持36V48V60V80V轉(zhuǎn)9V12V5A方案的降壓恒流芯片IC,它可以將36V至80V的輸入電壓轉(zhuǎn)換為9V或12V的輸出電壓,并提供5A的電流輸出。
這些特性可能是指該芯片IC可以控制LED燈的閃爍頻率、亮度以及光線照射的距離。通過調(diào)整芯片IC的參數(shù)和設(shè)置,可以實現(xiàn)不同的燈光效果,以滿足不同的應(yīng)用需求。
需要注意的是,選擇適合的降壓恒流芯片IC需要考慮多個因素,如輸入電壓范圍、輸出電壓和電流、轉(zhuǎn)換效率、溫度穩(wěn)定性等。
采用絕緣體上硅SOI及BCD工藝,輸入電壓范圍高達600V以上;內(nèi)部集成:欠壓檢測模塊、整流器模塊、誤差放大器、壓控振蕩器、邏輯處理模塊、電平移位模塊、高邊驅(qū)動模塊、低邊驅(qū)動模塊、功率轉(zhuǎn)化模塊等。
通過優(yōu)化芯片內(nèi)部設(shè)計實現(xiàn)LLC諧振半橋控制與功率器件集成,數(shù)控原邊反饋,無噪音,效率高;控制芯片具備自適應(yīng)的調(diào)節(jié)技術(shù),大幅提升抗干擾能力,有效增強可靠性;將多顆平面高壓MOS進行合封,提升產(chǎn)品內(nèi)部功率器件的開啟與關(guān)閉性能,避免干擾發(fā)生。
深圳市維基鴻電子有限公司http://wjydz03.51dzw.com
為了加強對惡意攻擊的防御,AVR DU系列采用了Microchip的編程和調(diào)試接口禁用 (PDID) 功能。
啟用該功能后,增強的代碼保護可鎖定對編程/調(diào)試接口的訪問,阻止未經(jīng)授權(quán)的讀取、修改或擦除固件的嘗試。
為了實現(xiàn)安全固件更新,AVR DU系列采用了“邊寫邊讀”(RWW)閃存,結(jié)合安全引導(dǎo)加載程序,設(shè)計人員可以使用USB接口修補漏洞、解決安全問題和添加新功能,而不會中斷產(chǎn)品運行。AVR DU MCU的這一新增功能可實現(xiàn)不間斷的現(xiàn)場更新,有助于延長產(chǎn)品的使用壽命。
對于您提到的支持36V48V60V80V轉(zhuǎn)9V12V5A方案的降壓恒流芯片IC,它可以將36V至80V的輸入電壓轉(zhuǎn)換為9V或12V的輸出電壓,并提供5A的電流輸出。
這些特性可能是指該芯片IC可以控制LED燈的閃爍頻率、亮度以及光線照射的距離。通過調(diào)整芯片IC的參數(shù)和設(shè)置,可以實現(xiàn)不同的燈光效果,以滿足不同的應(yīng)用需求。
需要注意的是,選擇適合的降壓恒流芯片IC需要考慮多個因素,如輸入電壓范圍、輸出電壓和電流、轉(zhuǎn)換效率、溫度穩(wěn)定性等。
采用絕緣體上硅SOI及BCD工藝,輸入電壓范圍高達600V以上;內(nèi)部集成:欠壓檢測模塊、整流器模塊、誤差放大器、壓控振蕩器、邏輯處理模塊、電平移位模塊、高邊驅(qū)動模塊、低邊驅(qū)動模塊、功率轉(zhuǎn)化模塊等。
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