一款設(shè)計(jì)緊湊的全新四通道矢量信號發(fā)生器（VSG），即N5186A MXG。這款信號發(fā)生器的頻率高達(dá)8.5 GHz，每個(gè)通道的調(diào)制帶寬為960 MHz。作為X系列信號發(fā)生器產(chǎn)品組合中的新一代高性能矢量信號發(fā)生器，N5186A MXG能夠?yàn)槊芗蛯拵Ф嗤ǖ缿?yīng)用提供多路獨(dú)立復(fù)雜信號。

無線通信和雷達(dá)等應(yīng)用技術(shù)的不斷演進(jìn)，要求使用MIMO、波束成形、多路復(fù)用等復(fù)雜的調(diào)制方案實(shí)現(xiàn)更高的頻率覆蓋，以最大程度地提高數(shù)據(jù)吞吐量。

而測試這些應(yīng)用需要用到信號發(fā)生器,以便在使用更大帶寬時(shí)能夠保持出色的調(diào)制質(zhì)量。

高能效GaN功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。在GaN IC上融入單獨(dú)的二維條形碼，并可通過標(biāo)準(zhǔn)商用讀碼器讀取。這不僅使CGD能夠掃描封裝器件并識別電路和批次，還能準(zhǔn)確了解每個(gè)芯片在晶圓上的制造位置。這對于提供有關(guān)工藝穩(wěn)健性和可靠性的重要數(shù)據(jù)具有重要意義。

在AB級和C級都表現(xiàn)良好，并且其飽和功率下17dB的增益簡化了驅(qū)動(dòng)器的要求。

GTH2e-2425300P可在2.4至2.5GHz的頻率范圍內(nèi)運(yùn)行，并由50V供電軌供電，從而產(chǎn)生了能夠重新定義射頻功率能力基準(zhǔn)的效率額定值。

HEMT的峰值效率為76%（脈沖、100µs、10%占空比），體現(xiàn)了Gallium Semiconductor致力于提高射頻性能的決心。相關(guān)測量數(shù)據(jù)顯示，在連續(xù)波操作下，排水效率超過72%。符合資格的客戶可以訂購固定調(diào)諧演示板。

GTH2e-2425300P標(biāo)志著射頻功率放大的演變趨勢，并強(qiáng)調(diào)了我們致力于優(yōu)化ISM應(yīng)用的性能的決心。

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