主電源中控制器IC兼容從而有助于替換現(xiàn)有的硅（超級(jí)結(jié)）MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2024/4/23 22:22:58 訪問(wèn)次數(shù):54
ROHM的寬驅(qū)動(dòng)電壓范圍（2.5V至30V）等功能可與主電源中的幾乎所有控制器IC兼容，從而有助于替換現(xiàn)有的硅（超級(jí)結(jié)）MOSFET。
雖然GaN HEMT有望顯著促進(jìn)小型化和提高功率轉(zhuǎn)換效率，但與硅MOSFET相比，柵極驅(qū)動(dòng)的難度較大，需要使用專用的柵極驅(qū)動(dòng)器。
除此之外，BM3G0xxMUV-LB系列（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）還集成了額外的功能和外圍組件，旨在最大限度地提高GaN HEMT性能以及650V GaN HEMT（下一代功率器件）。
其中，OPA代表其功能“運(yùn)算放大器”，第一個(gè)數(shù)字8代表低壓5.5V，中間的兩位數(shù)字代表帶寬，末尾數(shù)字代表其通道數(shù)，例如NSOPA8012，意為5.5V耐壓1.5M帶寬2通道運(yùn)算放大器，以便讓客戶能簡(jiǎn)單識(shí)別其作用、帶寬及通道數(shù)。
典型應(yīng)用包括醫(yī)用光療；農(nóng)業(yè)設(shè)備和能源發(fā)電系統(tǒng)信號(hào)燈；辦公、娛樂(lè)和通信設(shè)備指示燈和背光；LCD開(kāi)關(guān)和通用指示牌。
LED符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素，采用8 mm卷帶包裝，ESD耐壓高達(dá)2 kV，滿足JESD22-A114-B要求，根據(jù)JEDEC Level 2a進(jìn)行預(yù)處理，適合J-STD-020紅外回流焊工藝和自動(dòng)拾放貼片機(jī)加工。
深圳市金澤順電子有限公司http://jzs.51dzw.com
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雖然GaN HEMT有望顯著促進(jìn)小型化和提高功率轉(zhuǎn)換效率，但與硅MOSFET相比，柵極驅(qū)動(dòng)的難度較大，需要使用專用的柵極驅(qū)動(dòng)器。
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典型應(yīng)用包括醫(yī)用光療；農(nóng)業(yè)設(shè)備和能源發(fā)電系統(tǒng)信號(hào)燈；辦公、娛樂(lè)和通信設(shè)備指示燈和背光；LCD開(kāi)關(guān)和通用指示牌。
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