無(wú)源晶振是一種使用晶體元件來(lái)生成穩(wěn)定頻率的振蕩器，它不像有源振蕩器(如時(shí)鐘芯片)那樣需要外部電源。檢測(cè)無(wú)源晶振是否過(guò)驅(qū)通常需要通過(guò)測(cè)量其輸出波形和頻率，與期望的規(guī)格進(jìn)行比較。

因應(yīng)市場(chǎng)需求，一款具有可調(diào)限流控制功能的USB接口過(guò)壓保護(hù)（OVP）芯片——HL5075，作為接口保護(hù)開關(guān)產(chǎn)品線的家族產(chǎn)品，HL5075具備出色的軟啟動(dòng)控制和低Rds(on)特性，與同系列HL5095芯片相比，新增了1.2V I/O支持，使得HL5075能夠更好地適配在目前最新一代處理器的I/O電壓需求。

雙通道MOSFET可用來(lái)取代兩個(gè)PowerPAK 1212封裝分立器件，節(jié)省50%基板空間。

為設(shè)計(jì)人員提供節(jié)省空間的解決方案，用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器半橋和全橋功率級(jí)，適用領(lǐng)域包括無(wú)線電基站、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、焊接設(shè)備和電動(dòng)工具。

為提高功率密度，該MOSFET在4.5V條件下導(dǎo)通電阻典型值降至18.5mW，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。

系統(tǒng)中需要高精度電壓測(cè)量單元，同時(shí)也可將其用作校準(zhǔn)器，以確保待測(cè)點(diǎn)的電壓在正常的工作電壓范圍內(nèi)。這是自動(dòng)化生產(chǎn)測(cè)試設(shè)備中不可或缺的一環(huán)。傳統(tǒng)的DMM是一個(gè)不錯(cuò)的選擇，具備高分辨率的出色性能和可靠性。

比相同封裝尺寸最接近的競(jìng)品器件低16%。SiZF4800LDT低導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為131mW*nC，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積提高高頻開關(guān)應(yīng)用的效率。

器件采用倒裝芯片技術(shù)增強(qiáng)散熱能力，熱阻比競(jìng)品MOSFET低54%。SiZF4800LDT導(dǎo)通電阻和熱阻低，連續(xù)漏電流達(dá)36A，比接近的競(jìng)品器件高38%。

MOSFET獨(dú)特的引腳配置有助于簡(jiǎn)化PCB布局，支持縮短開關(guān)回路，從而減小寄生電感。SiZF4800LDT經(jīng)過(guò)100% Rg和UIS測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。

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