產(chǎn)品以5x6mm2封裝實(shí)現(xiàn)更小傳導(dǎo)損耗超強(qiáng)開(kāi)關(guān)性能和更高功率密度
發(fā)布時(shí)間:2024/4/23 22:34:53 訪問(wèn)次數(shù):69
在4V以上供電時(shí),其DC PSRR典型值高達(dá)104dB,而在1kHz和10kHz頻率下,AC PSRR分別能達(dá)到74dB和54dB以上,這一表現(xiàn)在市場(chǎng)同類產(chǎn)品中名列前茅。
NSOPA801x系列還具備高EMI抑制比和ESD防護(hù)功能,進(jìn)一步增強(qiáng)了其抗干擾能力。這使得它在應(yīng)對(duì)系統(tǒng)及現(xiàn)場(chǎng)各種開(kāi)關(guān)信號(hào)干擾時(shí),能夠保持出色的穩(wěn)定性和可靠性。
最新先進(jìn)功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS 7 80V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。
與上一代產(chǎn)品相比,IAUCN08S7N013的RDS(on)降低了50%以上,最高不超過(guò)1.3mΩ,達(dá)到目前業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先水平。
該產(chǎn)品以5x6mm2封裝實(shí)現(xiàn)更小的傳導(dǎo)損耗,超強(qiáng)的開(kāi)關(guān)性能和更高的功率密度等優(yōu)點(diǎn)。
此外,IAUCN08S7N013還具有封裝電阻和電感低以及抗雪崩電流能力強(qiáng)的特點(diǎn)。該半導(dǎo)體器件在汽車應(yīng)用方面已取得AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)以上的認(rèn)證。

大力發(fā)展新能源、光伏發(fā)電、促進(jìn)節(jié)能減排的關(guān)注等方面給予了很多扶持政策,極大地促進(jìn)了光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。光伏發(fā)電行業(yè)向分布式、中東發(fā)展趨勢(shì)明顯。光伏項(xiàng)目是指利用太陽(yáng)能發(fā)電的設(shè)備工程。
太陽(yáng)能電池串聯(lián)后,可以封裝保護(hù)形成大面積太陽(yáng)能電池組件,再與功率控制器等部件組成光伏發(fā)電裝置。光伏發(fā)電可以解決無(wú)電人群和貧困地區(qū)的用電問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)扶貧,節(jié)約水資源。
有助于降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,該產(chǎn)品采用最新的第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
深圳市品德冠科技有限公司http://jzs66.51dzw.com
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NSOPA801x系列還具備高EMI抑制比和ESD防護(hù)功能,進(jìn)一步增強(qiáng)了其抗干擾能力。這使得它在應(yīng)對(duì)系統(tǒng)及現(xiàn)場(chǎng)各種開(kāi)關(guān)信號(hào)干擾時(shí),能夠保持出色的穩(wěn)定性和可靠性。
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與上一代產(chǎn)品相比,IAUCN08S7N013的RDS(on)降低了50%以上,最高不超過(guò)1.3mΩ,達(dá)到目前業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先水平。
該產(chǎn)品以5x6mm2封裝實(shí)現(xiàn)更小的傳導(dǎo)損耗,超強(qiáng)的開(kāi)關(guān)性能和更高的功率密度等優(yōu)點(diǎn)。
此外,IAUCN08S7N013還具有封裝電阻和電感低以及抗雪崩電流能力強(qiáng)的特點(diǎn)。該半導(dǎo)體器件在汽車應(yīng)用方面已取得AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)以上的認(rèn)證。

大力發(fā)展新能源、光伏發(fā)電、促進(jìn)節(jié)能減排的關(guān)注等方面給予了很多扶持政策,極大地促進(jìn)了光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。光伏發(fā)電行業(yè)向分布式、中東發(fā)展趨勢(shì)明顯。光伏項(xiàng)目是指利用太陽(yáng)能發(fā)電的設(shè)備工程。
太陽(yáng)能電池串聯(lián)后,可以封裝保護(hù)形成大面積太陽(yáng)能電池組件,再與功率控制器等部件組成光伏發(fā)電裝置。光伏發(fā)電可以解決無(wú)電人群和貧困地區(qū)的用電問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)扶貧,節(jié)約水資源。
有助于降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,該產(chǎn)品采用最新的第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
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