平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。

平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現(xiàn)較低的RDS(on)值。

但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關(guān)損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達(dá)到多低的限制。

顯然，要想顯著減小RDS(on)的值,就需要找到一種對漂移區(qū)進(jìn)行重?fù)诫s的方法,并大幅減小epi電阻。

通過內(nèi)置EMI/RFI濾波器，該系列顯著增強(qiáng)了對空間輻射干擾的抑制能力，確保在實(shí)際應(yīng)用環(huán)境中展現(xiàn)卓越的抗干擾性和魯棒性，為穩(wěn)定可靠的運(yùn)行提供了堅(jiān)實(shí)保障。

使用SiC MOSFET的3相逆變器參考設(shè)計(jì),將繼續(xù)擴(kuò)大自身產(chǎn)品線，進(jìn)一步契合市場趨勢，并助力用戶提高設(shè)備效率，擴(kuò)大功率容量。

功率級IC利用核心功率和模擬技術(shù)，將GaN HEMT和柵極驅(qū)動器集成到單個(gè)封裝中，從而大大簡化了設(shè)計(jì)與安裝。

該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5x6 mm2 SMD封裝。

這款OptiMOS 7 80V產(chǎn)品非常適合即將推出的48V板網(wǎng)應(yīng)用。它專為滿足高要求汽車應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造，包括電動汽車的汽車直流-直流轉(zhuǎn)換器、48V電機(jī)控制（例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS））、48V電池開關(guān)以及電動兩輪車和三輪車等。

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