與缺乏溫度補(bǔ)償電感DCR誤差和負(fù)載時(shí)間常數(shù)誤差補(bǔ)償相比是一個(gè)顯著改進(jìn)
發(fā)布時(shí)間:2024/4/24 13:12:31 訪問(wèn)次數(shù):61
2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用第3代SiC MOSFET芯片,其漏極電流(DC)額定值為250A,適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。
工業(yè)應(yīng)用通常使用DC 1000V或更低功率,其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而,預(yù)計(jì)未來(lái)幾年內(nèi)DC 1500V將得到廣泛應(yīng)用,因此發(fā)布了業(yè)界首款2200V產(chǎn)品。
由于MG250YD2YMS3可實(shí)現(xiàn)較低的開(kāi)關(guān)損耗,用戶可采用模塊數(shù)量更少的兩電平電路取代傳統(tǒng)的三電平電路,有助于設(shè)備的小型化。
利用電源的全數(shù)字控制,可以通過(guò)PMBus和AVSBus接口連接到系統(tǒng)管理器來(lái)監(jiān)測(cè)和控制整個(gè)系統(tǒng)。
AVSBus接口允許連接至任何通用ASIC或處理器,以進(jìn)行監(jiān)測(cè)和調(diào)整電壓,根據(jù)負(fù)載要求來(lái)調(diào)整電源,提升能效。

通過(guò)數(shù);旌显O(shè)計(jì)架構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高集成度,多通道高達(dá)5Msps 12bitADC、多通道1Msps 12bit DAC,集成運(yùn)算放大器,模擬比較器、電容式觸摸控制和顯示驅(qū)動(dòng)器,集成多種高速通信接口、以太網(wǎng)控制器,低功耗無(wú)線連接。
變壓器的損耗包括鐵損和銅損,變壓器的鐵損受工作頻率和感值的影響,頻率低損耗小,感值高損耗小,所以設(shè)計(jì)變壓器的時(shí)候,要兼顧工作頻率和感量值,在一個(gè)比較合適的值,損耗就會(huì)小,待機(jī)的時(shí)候變壓器銅損是很小的,對(duì)整體的損耗影響甚微,設(shè)計(jì)變壓器的時(shí)候,選擇適當(dāng)?shù)木徑及匝數(shù)即可。
深圳市品德冠科技有限公司http://jzs66.51dzw.com
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工業(yè)應(yīng)用通常使用DC 1000V或更低功率,其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而,預(yù)計(jì)未來(lái)幾年內(nèi)DC 1500V將得到廣泛應(yīng)用,因此發(fā)布了業(yè)界首款2200V產(chǎn)品。
由于MG250YD2YMS3可實(shí)現(xiàn)較低的開(kāi)關(guān)損耗,用戶可采用模塊數(shù)量更少的兩電平電路取代傳統(tǒng)的三電平電路,有助于設(shè)備的小型化。
利用電源的全數(shù)字控制,可以通過(guò)PMBus和AVSBus接口連接到系統(tǒng)管理器來(lái)監(jiān)測(cè)和控制整個(gè)系統(tǒng)。
AVSBus接口允許連接至任何通用ASIC或處理器,以進(jìn)行監(jiān)測(cè)和調(diào)整電壓,根據(jù)負(fù)載要求來(lái)調(diào)整電源,提升能效。

通過(guò)數(shù);旌显O(shè)計(jì)架構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高集成度,多通道高達(dá)5Msps 12bitADC、多通道1Msps 12bit DAC,集成運(yùn)算放大器,模擬比較器、電容式觸摸控制和顯示驅(qū)動(dòng)器,集成多種高速通信接口、以太網(wǎng)控制器,低功耗無(wú)線連接。
變壓器的損耗包括鐵損和銅損,變壓器的鐵損受工作頻率和感值的影響,頻率低損耗小,感值高損耗小,所以設(shè)計(jì)變壓器的時(shí)候,要兼顧工作頻率和感量值,在一個(gè)比較合適的值,損耗就會(huì)小,待機(jī)的時(shí)候變壓器銅損是很小的,對(duì)整體的損耗影響甚微,設(shè)計(jì)變壓器的時(shí)候,選擇適當(dāng)?shù)木徑及匝數(shù)即可。
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