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高頻天線需要通過(guò)抑制高諧波失真來(lái)保護(hù)其內(nèi)部的電子元件

發(fā)布時(shí)間:2024/6/8 10:03:07 訪問(wèn)次數(shù):50

新款TVS二極管憑借超低電容抑制高諧波失真,同時(shí)降低了對(duì)元件產(chǎn)生影響的靜電與噪聲。

二極管能夠保護(hù)半導(dǎo)體和其他電子元件免受靜電與噪聲的影響,同時(shí)抑制信號(hào)劣化.Wi-Fi®等無(wú)線電通信中使用的。

高頻天線有時(shí)會(huì)使用ESD抑制器,其可用DF2B6M4BSL來(lái)取代。TVS二極管比ESD抑制器具有更高的保護(hù)性能,并且可以降低靜電電壓。

除了有助于增強(qiáng)高頻天線的可靠性以外,DF2B6M4BSL也適用于信號(hào)線路的ESD防護(hù)。

通信產(chǎn)品在應(yīng)用的過(guò)程中,由于雷擊等原因形成的過(guò)電壓和過(guò)電流會(huì)對(duì)設(shè)備端口造成損害,因此應(yīng)當(dāng)設(shè)計(jì)相應(yīng)的防護(hù)電路,各個(gè)端口根據(jù)其產(chǎn)品族類(lèi),網(wǎng)絡(luò)地位,目標(biāo)市場(chǎng),應(yīng)用環(huán)境,信號(hào)類(lèi)型以及實(shí)現(xiàn)成本等多種因素的不同所對(duì)應(yīng)的防護(hù)電路也不同。

壓敏電阻的結(jié)電容一般在幾百到幾千pF的數(shù)量級(jí)范圍,很多情況下不宜直接應(yīng)用在高頻信號(hào)線路的保護(hù)中電子元件,應(yīng)用在交流電路的保護(hù)中時(shí),因?yàn)槠浣Y(jié)電容較大會(huì)增加漏電流,在設(shè)計(jì)防護(hù)電路時(shí)需要充分考慮,壓敏電阻的通流容量較大,但比氣體放電管小。

全畫(huà)幅Foveon X3傳感器相機(jī)的計(jì)劃,并從開(kāi)發(fā)新的傳感器技術(shù)開(kāi)始開(kāi)始以來(lái),傳感器規(guī)格會(huì)使開(kāi)發(fā)滿足我們和我們客戶的高標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品變得困難,因此我們決定重新設(shè)計(jì)。

因?yàn)槊恳粋(gè)硅晶圓厚度只有五微米對(duì)于對(duì)焦及色差的影響甚微,然而由于波長(zhǎng)較長(zhǎng)光波抵達(dá)最內(nèi)層的紅色偵測(cè)器時(shí)會(huì)稍微衰減,可能會(huì)導(dǎo)致與傳統(tǒng)CCD/CMOS比起來(lái)對(duì)于波長(zhǎng)較長(zhǎng)的光波比較沒(méi)有那么銳利。

函數(shù)/任意波形發(fā)生器的選型需要考慮幾個(gè)重要的參數(shù),包括信號(hào)輸出頻率,采樣率,幅度范圍,準(zhǔn)確度,信號(hào)質(zhì)量,任意波長(zhǎng)度等等。


深圳市裕碩科技有限公司http://yushuo.51dzw.com

新款TVS二極管憑借超低電容抑制高諧波失真,同時(shí)降低了對(duì)元件產(chǎn)生影響的靜電與噪聲。

二極管能夠保護(hù)半導(dǎo)體和其他電子元件免受靜電與噪聲的影響,同時(shí)抑制信號(hào)劣化.Wi-Fi®等無(wú)線電通信中使用的。

高頻天線有時(shí)會(huì)使用ESD抑制器,其可用DF2B6M4BSL來(lái)取代。TVS二極管比ESD抑制器具有更高的保護(hù)性能,并且可以降低靜電電壓。

除了有助于增強(qiáng)高頻天線的可靠性以外,DF2B6M4BSL也適用于信號(hào)線路的ESD防護(hù)。

通信產(chǎn)品在應(yīng)用的過(guò)程中,由于雷擊等原因形成的過(guò)電壓和過(guò)電流會(huì)對(duì)設(shè)備端口造成損害,因此應(yīng)當(dāng)設(shè)計(jì)相應(yīng)的防護(hù)電路,各個(gè)端口根據(jù)其產(chǎn)品族類(lèi),網(wǎng)絡(luò)地位,目標(biāo)市場(chǎng),應(yīng)用環(huán)境,信號(hào)類(lèi)型以及實(shí)現(xiàn)成本等多種因素的不同所對(duì)應(yīng)的防護(hù)電路也不同。

壓敏電阻的結(jié)電容一般在幾百到幾千pF的數(shù)量級(jí)范圍,很多情況下不宜直接應(yīng)用在高頻信號(hào)線路的保護(hù)中電子元件,應(yīng)用在交流電路的保護(hù)中時(shí),因?yàn)槠浣Y(jié)電容較大會(huì)增加漏電流,在設(shè)計(jì)防護(hù)電路時(shí)需要充分考慮,壓敏電阻的通流容量較大,但比氣體放電管小。

全畫(huà)幅Foveon X3傳感器相機(jī)的計(jì)劃,并從開(kāi)發(fā)新的傳感器技術(shù)開(kāi)始開(kāi)始以來(lái),傳感器規(guī)格會(huì)使開(kāi)發(fā)滿足我們和我們客戶的高標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品變得困難,因此我們決定重新設(shè)計(jì)。

因?yàn)槊恳粋(gè)硅晶圓厚度只有五微米對(duì)于對(duì)焦及色差的影響甚微,然而由于波長(zhǎng)較長(zhǎng)光波抵達(dá)最內(nèi)層的紅色偵測(cè)器時(shí)會(huì)稍微衰減,可能會(huì)導(dǎo)致與傳統(tǒng)CCD/CMOS比起來(lái)對(duì)于波長(zhǎng)較長(zhǎng)的光波比較沒(méi)有那么銳利。

函數(shù)/任意波形發(fā)生器的選型需要考慮幾個(gè)重要的參數(shù),包括信號(hào)輸出頻率,采樣率,幅度范圍,準(zhǔn)確度,信號(hào)質(zhì)量,任意波長(zhǎng)度等等。


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