“使用4200A-CVIV BiasT的MOSFET3端C-V測試”項目，該項目使用了hivcvulib中的SweepV用戶模塊。該用戶模塊允許在漏極處進行一次掃描，并在器件每個端口處進行電容測量。

進行開路和短路補償，以確保準確的測量。執(zhí)行這些補償需要執(zhí)行特定的配置步驟。它們被稱為補償測量，并在項目樹中提供。在執(zhí)行任何測試之前，將對每個測試執(zhí)行補償。4200A可以存儲對每個配置的補償，可以執(zhí)行多個測試。該項目有五種不同的配置：CISS、CRSS、COSS、CGS和CDS 。

必須為每個測試配置CVIV。CVIV有許多輸出模式,這些都在用戶手冊中有描述。

對每個元件和電路級電容測量的CVIV的每個通道的狀態(tài)。

CGS的配置，當SMU在漏極處掃描直流電壓時，該測試測量了MOSFET的柵極和源極之間的電容。CDS的配置，當SMU在漏極處掃描直流電壓時，該測試測量了漏極和源極之間的電容。CRSS配置。該測試測量MSMU掃掃漏極直流電壓時MOSFET的反向傳輸電容。

MOSFET的三個端口的三個掃描SMU。SMU1和SMU2將使用高達400V的差分電壓。SMU2和SMU3必須在相同的電壓下同時掃描，這可以使柵極下降0V。使用這種方法，我們可以在Drain端產(chǎn)生一個400V的掃描電壓。此方法僅用于封裝器件，而不適用于晶圓級設(shè)備。

一個項目，“MOSFET 3-terminal C-V Test Using 4200A-CVIV Bias Tees”使用一個SMU加到漏端，從0到200V直流偏置電壓掃描。

另一個項目，“MOSFET 3-terminal C-V tests up to 400 V using 4200A-CVIV Bias Tees”使用一種新方法將電壓從0到400V。