在漏極有掃描SMU使用4200A-CVIV內(nèi)置偏置能力在每個終端測量電容
發(fā)布時間:2024/6/10 0:47:48 訪問次數(shù):87
面向2串電芯35W移動電源應(yīng)用的專用SOC，集成了同步開關(guān)升降壓變換器、電池充放電管理模塊（內(nèi)置均衡控制）、顯示模塊、電量計算模塊，提供35W輸入/輸出功率。
M12229 支持2串電芯(鋰電池及磷酸鐵鋰電池)，電芯規(guī)格支持 4.2V/4.25V/4.3V/4.4V/4.45V；芯片支持充電電流自適應(yīng)，最大充電電流5A，集成電池充放電管理模塊，內(nèi)置電池均衡控制，最大均衡電流 100mA，方便電池配對。
配合簡單的外圍電路，即可組成雙串35W多口移動電源。
IU5302T內(nèi)置四環(huán)路來控制充電過程，分別為恒流（CC）環(huán)路、恒壓（CV）環(huán)路、芯片溫度調(diào)節(jié)環(huán)路、可智能調(diào)節(jié)充電電流，防止拉垮適配器輸出，并匹配所有適配器的輸入自適環(huán)路。IU5302T輸入自適應(yīng)點通過外部分壓電阻靈活可調(diào)。
一旦執(zhí)行了測試，數(shù)據(jù)就會被繪制出來。由4200A生成的MOSFET的電容特性數(shù)據(jù)。
利用4200A-CVIV多開關(guān)同時掃描多個SMU，將MOSFET器件的輸出電壓翻倍至400V的新方法。這些測試通常在OFF狀態(tài)（VGS=0V）下進行。通常在漏極有一個掃描SMU，使用4200A-CVIV內(nèi)置的偏置能力，在每個終端測量電容。
深圳市裕碩科技有限公司http://yushuo.51dzw.com
面向2串電芯35W移動電源應(yīng)用的專用SOC，集成了同步開關(guān)升降壓變換器、電池充放電管理模塊（內(nèi)置均衡控制）、顯示模塊、電量計算模塊，提供35W輸入/輸出功率。
M12229 支持2串電芯(鋰電池及磷酸鐵鋰電池)，電芯規(guī)格支持 4.2V/4.25V/4.3V/4.4V/4.45V；芯片支持充電電流自適應(yīng)，最大充電電流5A，集成電池充放電管理模塊，內(nèi)置電池均衡控制，最大均衡電流 100mA，方便電池配對。
配合簡單的外圍電路，即可組成雙串35W多口移動電源。
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一旦執(zhí)行了測試，數(shù)據(jù)就會被繪制出來。由4200A生成的MOSFET的電容特性數(shù)據(jù)。
利用4200A-CVIV多開關(guān)同時掃描多個SMU，將MOSFET器件的輸出電壓翻倍至400V的新方法。這些測試通常在OFF狀態(tài)（VGS=0V）下進行。通常在漏極有一個掃描SMU，使用4200A-CVIV內(nèi)置的偏置能力，在每個終端測量電容。
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