腐蝕或液體也會(huì)導(dǎo)致電弧故障在工業(yè)環(huán)境中這可能造成嚴(yán)重后果
發(fā)布時(shí)間:2024/6/12 9:06:38 訪問(wèn)次數(shù):60
高壓可調(diào)時(shí)序控制和監(jiān)控電路MAX16052用作過(guò)壓保護(hù)電路。該器件的OUT引腳直接連接到P溝道MOSFET的柵極。P溝道MOSFET的源極連接到輸入電壓,漏極連接到負(fù)載。外部上拉電阻連接在VCC和P溝道MOSFET柵極之間,以在OUT引腳為低電平時(shí)讓柵極保持高電平。
當(dāng)監(jiān)控的電壓低于MAX16052指定的固定閾值時(shí),OUT引腳將柵極引腳拉低,導(dǎo)致P溝道MOSFET開(kāi)關(guān)處于短路狀態(tài)或?qū)顟B(tài)。當(dāng)監(jiān)控的電壓超過(guò)閾值時(shí),OUT引腳變?yōu)楦唠娖,P溝道MOSFET關(guān)斷,負(fù)載與電源電壓斷開(kāi)連接。
新的GFCI 和 AFCI 必須封裝更多的組件,但是電路板尺寸必須保持不變,這意味著工程師必須尋找更小的組件,才能提高總體設(shè)計(jì)密度。然而,考慮到產(chǎn)品的關(guān)鍵特性,他們不能為了更小的封裝而犧牲器件性能及穩(wěn)定可靠性。
在仿真過(guò)程中,確定緩沖器阻抗非常重要,因?yàn)檫@些阻抗是解決串?dāng)_和反射等信號(hào)完整性問(wèn)題的關(guān)鍵.
AFCI監(jiān)測(cè)電弧形狀和電弧幅度,檢測(cè)危險(xiǎn)情況,防止發(fā)生電氣火災(zāi)。
因此,AFCI 的電子設(shè)計(jì)比 GFCI 更加復(fù)雜。電弧故障可能是由電線松動(dòng)或過(guò)熱或電流流過(guò)意外物體引起的。所有這些事件都會(huì)產(chǎn)生高強(qiáng)度和大規(guī)模的溫度激增,如果不加以控制,將會(huì)引發(fā)電氣火災(zāi)。腐蝕或液體也會(huì)導(dǎo)致電弧故障,在工業(yè)環(huán)境中,這可能造成嚴(yán)重后果。
串?dāng)_是一種不需要的信號(hào)干擾,當(dāng)一條走線上傳播信號(hào)與另一條走線上傳播信號(hào)耦合時(shí)就會(huì)發(fā)生串?dāng)_。
高壓可調(diào)時(shí)序控制和監(jiān)控電路MAX16052用作過(guò)壓保護(hù)電路。該器件的OUT引腳直接連接到P溝道MOSFET的柵極。P溝道MOSFET的源極連接到輸入電壓,漏極連接到負(fù)載。外部上拉電阻連接在VCC和P溝道MOSFET柵極之間,以在OUT引腳為低電平時(shí)讓柵極保持高電平。
當(dāng)監(jiān)控的電壓低于MAX16052指定的固定閾值時(shí),OUT引腳將柵極引腳拉低,導(dǎo)致P溝道MOSFET開(kāi)關(guān)處于短路狀態(tài)或?qū)顟B(tài)。當(dāng)監(jiān)控的電壓超過(guò)閾值時(shí),OUT引腳變?yōu)楦唠娖剑琍溝道MOSFET關(guān)斷,負(fù)載與電源電壓斷開(kāi)連接。
新的GFCI 和 AFCI 必須封裝更多的組件,但是電路板尺寸必須保持不變,這意味著工程師必須尋找更小的組件,才能提高總體設(shè)計(jì)密度。然而,考慮到產(chǎn)品的關(guān)鍵特性,他們不能為了更小的封裝而犧牲器件性能及穩(wěn)定可靠性。
在仿真過(guò)程中,確定緩沖器阻抗非常重要,因?yàn)檫@些阻抗是解決串?dāng)_和反射等信號(hào)完整性問(wèn)題的關(guān)鍵.
AFCI監(jiān)測(cè)電弧形狀和電弧幅度,檢測(cè)危險(xiǎn)情況,防止發(fā)生電氣火災(zāi)。
因此,AFCI 的電子設(shè)計(jì)比 GFCI 更加復(fù)雜。電弧故障可能是由電線松動(dòng)或過(guò)熱或電流流過(guò)意外物體引起的。所有這些事件都會(huì)產(chǎn)生高強(qiáng)度和大規(guī)模的溫度激增,如果不加以控制,將會(huì)引發(fā)電氣火災(zāi)。腐蝕或液體也會(huì)導(dǎo)致電弧故障,在工業(yè)環(huán)境中,這可能造成嚴(yán)重后果。
串?dāng)_是一種不需要的信號(hào)干擾,當(dāng)一條走線上傳播信號(hào)與另一條走線上傳播信號(hào)耦合時(shí)就會(huì)發(fā)生串?dāng)_。
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