隨著移動設(shè)備對于充電速度和充電效率的需求不斷提升，氮化鎵（GaN）技術(shù)在電源適配器領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。

與傳統(tǒng)的硅（Si）相比，GaN作為第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的間隙和更高的擊穿電壓，因而能夠在緊湊的空間體積內(nèi)提供更高的功率密度。

基于Innoscience InnoGaN INN700D140C和INN700DA140C芯片推出300W電源適配器方案，可為用戶帶來高效、輕便的充電體驗。

薄膜電容器是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜從兩端重疊后卷繞成圓筒狀制成的。

依塑料薄膜的種類又分別稱為聚乙酯電容器（又稱Mylar 電容器）、聚丙烯電容器（又稱 PP電容器）、聚苯乙烯電容器（又稱PS電容器）和聚碳酸電容器。

云母電容器用金屬箔或在云母片上噴涂銀層作電極板，極板和云母一層一層疊合后壓鑄在膠木粉或封固在環(huán)氧樹脂中制成。它的特點是介質(zhì)損耗小、絕緣電阻大、溫度系數(shù)小，適合用于高頻電路。

在觸發(fā)到 NCP4318 的負電流偵測（SRCINV），或是脈沖跳頻模式（skip mode）時，一次側(cè)無脈沖的時間達足夠長度（tGRN2-ENT），DLY_EN旗標(biāo)即會轉(zhuǎn)態(tài)為HIGH。而負電流偵測在各種輕載的瞬時過程中都很容易觸發(fā)。

例如，重載跳到輕載，或是在輕載時的脈沖跳頻模式的進出過程，都很容易在二次側(cè)電流縮小并縮短其導(dǎo)通時間的切換周期里，觸發(fā)到負電流偵測。因此，在輕載狀況下，NCP4318的DLY_EN旗標(biāo)通常為HIGH。

LM2594MX-5.0/NOPB

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隨著移動設(shè)備對于充電速度和充電效率的需求不斷提升，氮化鎵（GaN）技術(shù)在電源適配器領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。與傳統(tǒng)的硅（Si）相比，GaN作為第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的間隙和更高的擊穿電壓，因而能夠在緊湊的空間體積內(nèi)提供更高的功率密度。針對這一特點，大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience InnoGaN INN700D140C和INN700DA140C芯片推出300W電源適配器方案，可為用戶帶來高效、輕便的充電體驗。