在大約5平方毫米的薄硅片上制作數(shù)百個(gè)電路，需要非常精密的生產(chǎn)技術(shù)。芯片上的元件是用微米測(cè)量的，定位時(shí)的精密度為1-2毫米。

用離子植入法將摻雜物摻入硅中構(gòu)成元件的n型和p型部分，在硅片上形成元件。此時(shí)硅片上部是鋁連接層，兩層連接層之間被二氧化硅絕緣層隔開(kāi)。鋁連接層由蒸發(fā)工藝生成，有掩模確定它的走線。

當(dāng)整個(gè)制造過(guò)程完成以后，使用電探針對(duì)每一個(gè)芯片進(jìn)行檢驗(yàn)。將不合格的產(chǎn)品淘汰，其它產(chǎn)品進(jìn)行封裝后在不同溫度及環(huán)境條件下的檢驗(yàn)，最終成為出廠的芯片。

電路在基射極間串接一只二極管，因此使得可令基極電流導(dǎo)通的輸入電壓值提升了0.7V,如此即使Vm值由于信號(hào)源的誤動(dòng)作而接近0.7V時(shí)，也不致使三極管導(dǎo)通，因此開(kāi)關(guān)仍可處于截止?fàn)顟B(tài)。

電源適配器在正常運(yùn)行時(shí)的測(cè)試結(jié)果及效率如表所示。其高效率（通常是95%）不但能降低汽車(chē)電池的負(fù)荷，同時(shí)也降低了適配器內(nèi)部的功耗。PCB尺寸比筆記本本身的電源適配器要小。

LM1117IMPX-3.3/NOPB

器件的重復(fù)精度小于測(cè)量范圍的0.1%，線性偏差不到滿刻度的1%。它在每個(gè)端盲區(qū)僅為20.5mm，使其易于應(yīng)用在受限空間。

芯片的代碼用兩種信號(hào)表示，即電壓信號(hào)代碼。它包括兩種狀態(tài)，被分別稱為高電平和低電平狀態(tài)，也可以用數(shù)字表示這兩種信號(hào)，即用“1”表示高電壓信號(hào)，用“0”表示低電壓信號(hào)（“1”和“0”在二進(jìn)制代碼中叫做“位”(bit, binary digits 的縮寫(xiě))）。

這兩種狀態(tài)分別用VIH和HIL兩個(gè)電壓域值表示,且VIH>HIL。VIH被稱為高邏輯閥,HIL被稱為低邏輯閥。

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