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測(cè)試和測(cè)量系統(tǒng)部署到機(jī)密領(lǐng)域需要系統(tǒng)進(jìn)行一個(gè)關(guān)聯(lián)解密過(guò)程

發(fā)布時(shí)間:2024/6/30 14:10:42 訪問(wèn)次數(shù):69

GCM多層陶瓷電容器,Murata GCM多層陶瓷電容器設(shè)計(jì)用于提供出色的脈沖響應(yīng)度和降噪能力,得益于高頻率下的極低阻抗特性。

通常情況下,如果將測(cè)試和測(cè)量系統(tǒng)部署到機(jī)密領(lǐng)域,則需要這些系統(tǒng)進(jìn)行一個(gè)關(guān)聯(lián)的解密過(guò)程。

電容器的額定電壓為630VDC,工作溫度范圍為-55°C至125°C。GCM陶瓷電容器采用紙帶或壓紋帶以及卷軸封裝,可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)貼裝。

這些電容器的電容范圍為0.012F至22F,容差為2%/5%,符合RoHS指令。

CoolSiC 1200V和2000V MOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品,其采用成熟的62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì).

增強(qiáng)型M1H 碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250kW以上的中等功率等級(jí)應(yīng)用,而傳統(tǒng)IGBT硅技術(shù)在這一功率等級(jí)應(yīng)用的的功率密度已達(dá)極限值。

相比傳統(tǒng)的62mm IGBT模塊,其應(yīng)用范圍現(xiàn)已擴(kuò)展至太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、牽引、商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。LM2594MX-5.0/NOPB

電容式觸摸傳感器不需要實(shí)際的物理按壓,使用者可以通過(guò)輕輕接觸到觸摸面板即可進(jìn)行操作,多數(shù)電容式觸摸傳感器能夠支持多點(diǎn)觸摸,使得用戶可以同時(shí)使用多個(gè)手指進(jìn)行各種手勢(shì)操作。

電容式觸摸傳感器可以制作成透明的形式,因此能夠應(yīng)用在透明或半透明的表面上,增加設(shè)計(jì)的靈活性。

由于其無(wú)機(jī)械結(jié)構(gòu)、透明性和輕薄特性,電容式觸摸傳感器有助于設(shè)備的輕薄化設(shè)計(jì),并對(duì)于表面污染的敏感度相對(duì)較低,通常比一些機(jī)械式觸摸技術(shù)更為耐用和穩(wěn)定,在未被觸摸時(shí),電容式觸摸傳感器的功耗通常較低,有助于節(jié)省電能。

http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司

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電容器的額定電壓為630VDC,工作溫度范圍為-55°C至125°C。GCM陶瓷電容器采用紙帶或壓紋帶以及卷軸封裝,可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)貼裝。

這些電容器的電容范圍為0.012F至22F,容差為2%/5%,符合RoHS指令。

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增強(qiáng)型M1H 碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250kW以上的中等功率等級(jí)應(yīng)用,而傳統(tǒng)IGBT硅技術(shù)在這一功率等級(jí)應(yīng)用的的功率密度已達(dá)極限值。

相比傳統(tǒng)的62mm IGBT模塊,其應(yīng)用范圍現(xiàn)已擴(kuò)展至太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、牽引、商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。LM2594MX-5.0/NOPB

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電容式觸摸傳感器可以制作成透明的形式,因此能夠應(yīng)用在透明或半透明的表面上,增加設(shè)計(jì)的靈活性。

由于其無(wú)機(jī)械結(jié)構(gòu)、透明性和輕薄特性,電容式觸摸傳感器有助于設(shè)備的輕薄化設(shè)計(jì),并對(duì)于表面污染的敏感度相對(duì)較低,通常比一些機(jī)械式觸摸技術(shù)更為耐用和穩(wěn)定,在未被觸摸時(shí),電容式觸摸傳感器的功耗通常較低,有助于節(jié)省電能。

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