泄放電阻組成保護電路在測量時應注意這些元器件對測量數(shù)據(jù)影響
發(fā)布時間:2024/7/6 22:38:55 訪問次數(shù):82
反向若測得集電結(jié)的正、反向電阻值均很小或均為無窮大,則說明該管已擊穿短路或開路損壞。
用萬用表R×100擋測量達林頓三極管發(fā)射極e與基極b之間的正、反向電阻值,正常值均為幾百歐姆至幾千歐姆(具體數(shù)據(jù)根據(jù)b、e極之間兩只電阻器的阻值不同而有所差異)。若測得阻值為0或為無窮大,則說明被測管已損壞。
針對應用于2兆瓦范圍的電力電子系統(tǒng),當下關注的焦點是采用何種技術以及具有多久的生命周期。
預期使用壽命主要由功率循環(huán)(PC)進行驗證。半導體中的電流變化會導致組裝和連接產(chǎn)生溫度偏差,上電最初幾秒內(nèi)的熱波動使得鍵合線由于熱膨脹而產(chǎn)生微小移動。長遠來看,這些移動會導致諸如鍵合線脫落或在鍵合點斷裂的缺陷。
壓接型結(jié)構(gòu)無需鍵合線,且不存在大面積焊線,因此,與焊接型結(jié)構(gòu)相比,壓接型IGBT理應能允許更多次的功率循環(huán)。LM258DR
可自動選擇三種充電模式:自動涓流充電、恒流和恒壓充電。
兼容USB,可通過USB充電,具有端口自動檢測功能。
100%引腳配置,無需軟件。
可延長任何使用充電電池的基于nRF52®或nRF53®系列SoC應用的電池壽命。
可為SoC和任何附加電路提供充足的電流。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導體有限公司
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針對應用于2兆瓦范圍的電力電子系統(tǒng),當下關注的焦點是采用何種技術以及具有多久的生命周期。
預期使用壽命主要由功率循環(huán)(PC)進行驗證。半導體中的電流變化會導致組裝和連接產(chǎn)生溫度偏差,上電最初幾秒內(nèi)的熱波動使得鍵合線由于熱膨脹而產(chǎn)生微小移動。長遠來看,這些移動會導致諸如鍵合線脫落或在鍵合點斷裂的缺陷。
壓接型結(jié)構(gòu)無需鍵合線,且不存在大面積焊線,因此,與焊接型結(jié)構(gòu)相比,壓接型IGBT理應能允許更多次的功率循環(huán)。LM258DR
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