線束應(yīng)盡量減小線束內(nèi)部差分耦合效應(yīng)減少對(duì)負(fù)載及電源的干擾
發(fā)布時(shí)間:2024/7/15 9:01:22 訪問次數(shù):990
一個(gè)應(yīng)用電路,使用了高端輸入開關(guān)保護(hù)下游電子系統(tǒng)不受掉電故障影響。
MOSFET支持根據(jù)應(yīng)用需要,輕松選擇適當(dāng)?shù)碾妷汉碗娏黝~定值,是系統(tǒng)高端開關(guān)設(shè)計(jì)的理想器件。
因此,如使用N溝道MOSFET作為高端輸入開關(guān),將需要額外配置電路,例如電荷泵。
有些保護(hù)電路還集成了比較器和電荷泵來驅(qū)動(dòng)高端N溝道MOSFET,同時(shí)保持解決方案的簡(jiǎn)單性。使用P溝道MOSFET作為高端輸入開關(guān)不需要電荷泵,但極性相反。這種方法更簡(jiǎn)單,因而成為許多應(yīng)用的常用方法。
一些比較常見的Modbus功能代碼包括模塊指標(biāo)、模塊工作狀態(tài)、模塊寄存器地址和故障狀態(tài)。
微控制器利用ADM2561和ADM30611收發(fā)器,通過UART協(xié)議處理來自各種外設(shè)的數(shù)據(jù),并將其傳輸?shù)綑C(jī)架微控制器。采用隔離型收發(fā)器的優(yōu)點(diǎn)在于,它不受系統(tǒng)級(jí)電磁干擾的影響,并且符合OCP制定的電磁兼容性(EMC)標(biāo)準(zhǔn)。
FPC軟板走線layout為環(huán)形,不是像線束一樣并行走向,而且同一cell的2根采樣線束有出現(xiàn)跨接2個(gè)連接器的情況,這與測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的線束要求不一致。線束應(yīng)盡量減小線束內(nèi)部的差分耦合效應(yīng),同時(shí)減少對(duì)負(fù)載及電源的干擾。線束及DUT要放置在一個(gè)絕緣、非鐵磁性、低滲透性材質(zhì)(如木桌)。
可以用Verilog語言對(duì)鎖存器和觸發(fā)器的行為特性進(jìn)行建模。Verilog語言提供了兩種賦值符∶阻塞型賦值和非阻塞型賦值。對(duì)組合邏輯電路建模時(shí),建議使用陰塞型賦值;對(duì)時(shí)序電路建模時(shí),建議使用非阻塞型賦值。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司
一個(gè)應(yīng)用電路,使用了高端輸入開關(guān)保護(hù)下游電子系統(tǒng)不受掉電故障影響。
MOSFET支持根據(jù)應(yīng)用需要,輕松選擇適當(dāng)?shù)碾妷汉碗娏黝~定值,是系統(tǒng)高端開關(guān)設(shè)計(jì)的理想器件。
因此,如使用N溝道MOSFET作為高端輸入開關(guān),將需要額外配置電路,例如電荷泵。
有些保護(hù)電路還集成了比較器和電荷泵來驅(qū)動(dòng)高端N溝道MOSFET,同時(shí)保持解決方案的簡(jiǎn)單性。使用P溝道MOSFET作為高端輸入開關(guān)不需要電荷泵,但極性相反。這種方法更簡(jiǎn)單,因而成為許多應(yīng)用的常用方法。
一些比較常見的Modbus功能代碼包括模塊指標(biāo)、模塊工作狀態(tài)、模塊寄存器地址和故障狀態(tài)。
微控制器利用ADM2561和ADM30611收發(fā)器,通過UART協(xié)議處理來自各種外設(shè)的數(shù)據(jù),并將其傳輸?shù)綑C(jī)架微控制器。采用隔離型收發(fā)器的優(yōu)點(diǎn)在于,它不受系統(tǒng)級(jí)電磁干擾的影響,并且符合OCP制定的電磁兼容性(EMC)標(biāo)準(zhǔn)。
FPC軟板走線layout為環(huán)形,不是像線束一樣并行走向,而且同一cell的2根采樣線束有出現(xiàn)跨接2個(gè)連接器的情況,這與測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的線束要求不一致。線束應(yīng)盡量減小線束內(nèi)部的差分耦合效應(yīng),同時(shí)減少對(duì)負(fù)載及電源的干擾。線束及DUT要放置在一個(gè)絕緣、非鐵磁性、低滲透性材質(zhì)(如木桌)。
可以用Verilog語言對(duì)鎖存器和觸發(fā)器的行為特性進(jìn)行建模。Verilog語言提供了兩種賦值符∶阻塞型賦值和非阻塞型賦值。對(duì)組合邏輯電路建模時(shí),建議使用陰塞型賦值;對(duì)時(shí)序電路建模時(shí),建議使用非阻塞型賦值。
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