工業(yè)和通信應用功率轉換提高功率密度和能效增強熱性能
發(fā)布時間:2024/7/18 0:14:54 訪問次數(shù):93
新型80V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET® Gen IV MOSFET組合在3.3mm x 3.3mm PowerPAIR® 3x3FS單體封裝中。
Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應用功率轉換，在提高功率密度和能效的同時，增強熱性能，減少元器件數(shù)量并簡化設計。
這些應用中，SiZF4800LDT高低邊MOSFET提供50%占空比優(yōu)化組合，同時4.5V下邏輯電平導通簡化電路驅動。
BS21xC-x系列提供1~8 Key觸控按鍵供選擇使用，配合適當?shù)姆庋b與輸出接口設計，可以滿足各類觸控電子產品應用需求。其IC封裝兼容BS81xC-x系列，可加速客戶產品開發(fā)周期與降低成本。
新一代的STM32MP2系列工業(yè)級微處理器 (MPUs)，以推動智能工廠、智能醫(yī)療、智能樓宇和智能基礎設施等領域未來的發(fā)展。
P溝道場效應管的電流方向是由源極流向漏極。溝道的導電特性和其附近的電場有關,該電場可由柵極和源極間的電位差來控制。
雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1212封裝分立器件，節(jié)省50%基板空間。器件為設計人員提供節(jié)省空間的解決方案，用于同步降壓轉換器、負載點（POL）轉換器、DC/DC轉換器半橋和全橋功率級，適用領域包括無線電基站、工業(yè)電機驅動、焊接設備和電動工具。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導體有限公司
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Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應用功率轉換，在提高功率密度和能效的同時，增強熱性能，減少元器件數(shù)量并簡化設計。
這些應用中，SiZF4800LDT高低邊MOSFET提供50%占空比優(yōu)化組合，同時4.5V下邏輯電平導通簡化電路驅動。
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P溝道場效應管的電流方向是由源極流向漏極。溝道的導電特性和其附近的電場有關,該電場可由柵極和源極間的電位差來控制。
雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1212封裝分立器件，節(jié)省50%基板空間。器件為設計人員提供節(jié)省空間的解決方案，用于同步降壓轉換器、負載點（POL）轉換器、DC/DC轉換器半橋和全橋功率級，適用領域包括無線電基站、工業(yè)電機驅動、焊接設備和電動工具。
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