片上集成天線簡(jiǎn)化終端系統(tǒng)設(shè)計(jì)采用3毫米x4毫米VFBGA微型封裝
發(fā)布時(shí)間:2024/7/20 22:51:44 訪問(wèn)次數(shù):129
SPM31 IPM通過(guò)調(diào)節(jié)三相電機(jī)供電的頻率和電壓來(lái)控制熱泵和空調(diào)系統(tǒng)中變頻壓縮機(jī)和風(fēng)扇的功率流,以實(shí)現(xiàn)出色效率。
例如,采用FS7技術(shù)的25A SPM31與上一代產(chǎn)品相比,功率損耗降低達(dá)10%,功率密度提高達(dá)9%。在電氣化趨勢(shì)和更高的能效要求下,這些模塊助力制造商大幅改進(jìn)供暖和制冷系統(tǒng)設(shè)計(jì),同時(shí)提高能效。
SPM31 IPM系列產(chǎn)品采用FS7技術(shù),具備更佳的性能,實(shí)現(xiàn)高能效和更低能耗,進(jìn)一步減少了全球的有害排放。
這些高度集成的模塊含柵極驅(qū)動(dòng)IC、多種模塊內(nèi)置保護(hù)功能及FS7 IGBT,實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的熱性能,且支持15A至35A的寬廣電流范圍。SPM31 FS7 IGBT IPM的功率密度超高,是節(jié)省貼裝空間、提高性能預(yù)期、同時(shí)縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間的理想解決方案。
這款測(cè)試芯片是采用12納米FinFet(FF)技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結(jié)合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積,為電池供電應(yīng)用提供卓越的音質(zhì)與功能.
ST60A3H1片上集成了天線,可簡(jiǎn)化終端系統(tǒng)設(shè)計(jì),采用3毫米x4毫米VFBGA微型封裝。
在工業(yè)環(huán)境中,通過(guò)這些收發(fā)器無(wú)線連接設(shè)備具有安全電流隔離和防塵防潮等優(yōu)點(diǎn)。
由于650V耐壓產(chǎn)品“GNP1150TCA-Z”內(nèi)置的ESD保護(hù)元件,使其靜電耐受能力比普通GaN HEMT提高了約75%,而這有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的可靠性,在這方面的出色表現(xiàn)得到了客戶(hù)的認(rèn)可,從而被應(yīng)用到客戶(hù)的產(chǎn)品中。
一款I(lǐng)nnoSwitch™5-Pro系列高效率、可數(shù)字控制的反激式開(kāi)關(guān)IC,旨在為業(yè)界提供一種更高功率、更低成本的快充解決方案。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司
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例如,采用FS7技術(shù)的25A SPM31與上一代產(chǎn)品相比,功率損耗降低達(dá)10%,功率密度提高達(dá)9%。在電氣化趨勢(shì)和更高的能效要求下,這些模塊助力制造商大幅改進(jìn)供暖和制冷系統(tǒng)設(shè)計(jì),同時(shí)提高能效。
SPM31 IPM系列產(chǎn)品采用FS7技術(shù),具備更佳的性能,實(shí)現(xiàn)高能效和更低能耗,進(jìn)一步減少了全球的有害排放。
這些高度集成的模塊含柵極驅(qū)動(dòng)IC、多種模塊內(nèi)置保護(hù)功能及FS7 IGBT,實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的熱性能,且支持15A至35A的寬廣電流范圍。SPM31 FS7 IGBT IPM的功率密度超高,是節(jié)省貼裝空間、提高性能預(yù)期、同時(shí)縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間的理想解決方案。
這款測(cè)試芯片是采用12納米FinFet(FF)技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結(jié)合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積,為電池供電應(yīng)用提供卓越的音質(zhì)與功能.
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