嵌入式存儲(chǔ)器應(yīng)用DDR3協(xié)議調(diào)試和測試套件由硬件和軟件的組成

發(fā)布時(shí)間:2024/7/23 22:09:23 訪問次數(shù):43

目標(biāo)應(yīng)用為板級(jí)或嵌入式存儲(chǔ)器應(yīng)用的DDR3協(xié)議調(diào)試和測試套件，由硬件和軟件的組成。

據(jù)說該套件是業(yè)界首個(gè)功能最齊全的DDR3測試工具，包含業(yè)界最快的（2.0-Gtransfer/s）全通道16962A邏輯分析模塊,用于DDR3 BGA和DIMM器件的探針,以及一個(gè)DDR3兼容性和高性能軟件環(huán)境。

N4835A DDR3插槽探嘴可檢測服務(wù)器和臺(tái)式計(jì)算機(jī)應(yīng)用程式，通過板上插槽連接器實(shí)現(xiàn)存取高速（1.6 Gtransfers/s）存儲(chǔ)器總線。

探針與觀測器和邏輯分析器一起使用，用于物理層和功能性測試。

Bali高速非易失性RAM將同步DRAM、NAND閃存、智能電源管理以及以UltraCap能源緩沖器和系統(tǒng)控制器集成在一起，提供無電池的4 到64MB NV存儲(chǔ)器。該器件符合系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的RAM，采用200引腳SO-DIMM或夾層卡封裝。

該器件具有200-Mb/s峰值傳輸、I2C命令/控制總線，4~32 MB存儲(chǔ)器的電壓為3.3 VCC，64 MB的電壓為5.0 VCC，工作溫度范圍為0°~70°C。該器件具有10年數(shù)據(jù)存儲(chǔ)周期，高達(dá)200,000次寫入，無嚴(yán)重故障模式。

表面貼裝數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件，設(shè)計(jì)專門應(yīng)用于國防和航空中苛刻和嵌入式要求的環(huán)境中。

該產(chǎn)品提供1、2和4 GB 容量密度，采用22mmx27mm塑料球柵陣列（PBGA）封裝，支持各種PATA接口協(xié)議。該產(chǎn)品為嵌入式計(jì)算提供高度可靠的高密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，應(yīng)用于飛機(jī)、通信和導(dǎo)彈。

PBGA封裝采用1.27mm間距和共晶錫鉛焊球,從而在苛刻環(huán)境中延長器件壽命。

該器件支持ATA/PCMCIA 2.1、緊湊閃存3.0 and 4.0兼容接口。此外，PBGA封裝與同等離散設(shè)計(jì)相比，節(jié)省了150mm2電路板空間。

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