A/D/G/J類型通過CL放電功能快速降低輸出電壓防止輸出設(shè)備誤動(dòng)作
發(fā)布時(shí)間:2024/7/24 8:47:57 訪問次數(shù):85
可選擇負(fù)載切斷、輸出OR、旁路三種類型。XCL109/XCL110系列內(nèi)置0.17Ω N通道驅(qū)動(dòng)FET和0.20Ω P通道同步整流開關(guān)FET，是一款線圈一體型升壓同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器。其輸入電壓可從0.9V啟動(dòng)，適用于使用一節(jié)堿性或鎳氫電池的設(shè)備。輸出電壓范圍為1.8V~5.5V，可對(duì)應(yīng)0.1V間隔設(shè)置。
在待機(jī)模式下，A/D/G/J類型通過CL放電功能快速降低輸出電壓，以防止輸出設(shè)備誤動(dòng)作。B/E/H/K類型通過旁路功能實(shí)現(xiàn)輸入和輸出的導(dǎo)通，支持后續(xù)設(shè)備驅(qū)動(dòng)。C/F/M/L類型通過負(fù)載切斷功能切斷輸入和輸出的導(dǎo)通，支持與其他電源的并聯(lián)連接。
IMB-C Value 系列主板支持從第10代到第14代的英特爾酷睿i9/i7/i5/i3處理器，并配備2.5 GbE以太網(wǎng)、PCIe 4.0、DDR4和USB 3.0等功能特性，能夠滿足倉儲(chǔ)、工業(yè)自動(dòng)化、智能制造以及新能源等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。
雙穩(wěn)態(tài)電路存在兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，從而可存儲(chǔ)、記憶 1 位二進(jìn)制數(shù)據(jù)。 鎖存器和觸發(fā)器都屬干雙穩(wěn)態(tài)電路，它們是時(shí)序電路的基本存儲(chǔ)單元。置0、置1和數(shù)據(jù)保持是一個(gè)存儲(chǔ)單元最基本的功能。
D鎖存器在工作中沒有約束條件，因而應(yīng)用較廣泛。在使能信號(hào)作用期間，D鎖存器輸出跟隨輸入信號(hào) D而變化。
其中傳輸門控D鎖存器在中,大規(guī)模CMOS集成電路中應(yīng)用較多,是構(gòu)成觸發(fā)器基礎(chǔ)電路。
新型工程級(jí)射頻/微波適配器系列。該系列精密適配器提供了無與倫比的可靠性，旨在減少重復(fù)更換成本的負(fù)擔(dān)，并以其持久的性能和一致性滿足射頻要求。
觸發(fā)器是對(duì)時(shí)鐘脈沖邊沿敏感的存儲(chǔ)電路;它們?cè)跁r(shí)鐘脈沖的上升沿或下降沿作用下更新狀態(tài)。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司
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在待機(jī)模式下，A/D/G/J類型通過CL放電功能快速降低輸出電壓，以防止輸出設(shè)備誤動(dòng)作。B/E/H/K類型通過旁路功能實(shí)現(xiàn)輸入和輸出的導(dǎo)通，支持后續(xù)設(shè)備驅(qū)動(dòng)。C/F/M/L類型通過負(fù)載切斷功能切斷輸入和輸出的導(dǎo)通，支持與其他電源的并聯(lián)連接。
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雙穩(wěn)態(tài)電路存在兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，從而可存儲(chǔ)、記憶 1 位二進(jìn)制數(shù)據(jù)。 鎖存器和觸發(fā)器都屬干雙穩(wěn)態(tài)電路，它們是時(shí)序電路的基本存儲(chǔ)單元。置0、置1和數(shù)據(jù)保持是一個(gè)存儲(chǔ)單元最基本的功能。
D鎖存器在工作中沒有約束條件，因而應(yīng)用較廣泛。在使能信號(hào)作用期間，D鎖存器輸出跟隨輸入信號(hào) D而變化。
其中傳輸門控D鎖存器在中,大規(guī)模CMOS集成電路中應(yīng)用較多,是構(gòu)成觸發(fā)器基礎(chǔ)電路。
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