隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)電路性能的要求也越來(lái)越高。降低失調(diào)電壓、提高開(kāi)環(huán)增益并保持電路的穩(wěn)定性成為了工程師們面臨的重要挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，新的材料和工藝不斷涌現(xiàn)，如CMOS工藝、SOI技術(shù)等;同時(shí)，各種先進(jìn)的電路結(jié)構(gòu)和補(bǔ)償技術(shù)也被廣泛應(yīng)用于實(shí)際電路中。

這些先進(jìn)技術(shù)的應(yīng)用,共同促成了2Tb QLC存儲(chǔ)器的誕生,成就了業(yè)界容量最大的存儲(chǔ)器。

全新的第八代BiCS FLASH™2Tb QLC的位密度比鎧俠目前所采用的第五代BiCS FLASH™的QLC產(chǎn)品提高了約2.3倍，寫(xiě)入能效比提高了約70%。

LM13700M/NOPB

測(cè)試電路通常包括一個(gè)運(yùn)算放大器、一個(gè)可調(diào)電阻(作為輸入源)、一個(gè)高精度直流電源(為可調(diào)電阻供電)以及一個(gè)高精度萬(wàn)用表(用于測(cè)量輸出電壓)。將運(yùn)算放大器的非反相輸入端(通常標(biāo)記為“+”)接地，反相輸入端(標(biāo)記為“-”)通過(guò)可調(diào)電阻連接到直流電源的正極，輸出端則連接到萬(wàn)用表以測(cè)量輸出電壓。

將直流電源設(shè)置為一個(gè)較低的電壓值，例如1V，以避免在調(diào)整過(guò)程中產(chǎn)生過(guò)大的電流。

將可調(diào)電阻的初始位置調(diào)整至中間或任意位置，以便后續(xù)調(diào)整。

確保所有連接正確無(wú)誤，并檢查電路是否有短路或斷路現(xiàn)象。

全CMOS AD7804和AD7805可節(jié)省功耗。除了正常工作時(shí)功耗低(最大值66mW)外，它們?cè)谙到y(tǒng)待機(jī)(僅基準(zhǔn)電壓源工作時(shí))的額定功率最大為1.38mW，在省電模式下的額定功率最大功率為8.25μW(在整個(gè)溫度范圍內(nèi))。

此外，四個(gè)通道可以在不使用時(shí)單獨(dú)切換到待機(jī)狀態(tài)。每個(gè)通道都有一個(gè)通道控制寄存器來(lái)控制其功能;系統(tǒng)控制寄存器同時(shí)控制所有四個(gè)DAC。

在設(shè)計(jì)過(guò)程中，工程師需要綜合考慮這兩個(gè)因素，通過(guò)優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、選擇高性能元件以及采用先進(jìn)的校準(zhǔn)技術(shù)等方法來(lái)降低失調(diào)電壓并提高開(kāi)環(huán)增益，從而滿(mǎn)足系統(tǒng)的性能要求。

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