70nm工藝制造的512Mb DDR2 SDRAM存儲器,應(yīng)用到DRAM器件中最小工藝技術(shù).

新的70nm保持了Samsung用在現(xiàn)今大多數(shù)DRAM生產(chǎn)所用的80nm和90nm工藝的連續(xù)性.但是,每個晶圓的芯片數(shù)量至少要比90nm技術(shù)的要增加100%.

這種新的媒體控制器器件為用戶提供了高性能高質(zhì)量高性價比的解決方案,補充了SST的NAND閃存盤控制器系列產(chǎn)品,進一步擴展了該系列的應(yīng)用范圍.SST的NAND閃存盤控制器允許設(shè)計者能創(chuàng)建基于閃存的海量數(shù)據(jù)存儲解決方案,以適應(yīng)用戶的特殊應(yīng)用.

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這些完整的解決方案使FPGA用戶能夠快速實施并驗證在不同數(shù)據(jù)速率和總線寬度下的專用存儲器接口設(shè)計，從而加快產(chǎn)品的上市時間。

這些包括器件特性描述、數(shù)據(jù)輸入電路以及存儲器控制器的解決方案，均已在使用了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商存儲器的硬件上進行了充分驗證。

1kb EEPROM陣列以及相應(yīng)的指令集可確保對寫入內(nèi)置非易失數(shù)據(jù)陣列的數(shù)據(jù)的防篡改保存。

每個EEPROM頁面的數(shù)據(jù)修改受SHA-1算法保護，同時還具有可編程寫保護以及EPROM/OTP (一次性可編程)仿真模式。

一款特別為數(shù)碼相機在弱光環(huán)境下提供照明的、距離長達3米的自動對焦高亮度發(fā)光二極管ASMT-FJ10.

ASMT-FJ10是目前市場上亮度最高的自動對焦LED，在20mA時的標(biāo)準輸出為18燭光(candela)。該器件的長寬分別為4.80mmx4.80mm，也是業(yè)內(nèi)最小的封裝尺寸的.

用于DRAM的70nm工藝技術(shù)所采用的幾種技術(shù)創(chuàng)新包括Samsung的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容技術(shù)以及稱作球形凹溝陣列晶體管(S-RACT)的3D晶體管架構(gòu).

用來克服堆棧DRAM單元的限制,大大地改善了數(shù)據(jù)刷新功能,特別是70nm 512Mb DRAM.新的SST55LC100,以擴充它的NAND閃存盤控制器系列.

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