高能效E系列超級(jí)結(jié)技術(shù)，10V下典型導(dǎo)通電阻僅為0.051Ω，從而提高額定功率支持2kW以上的各種應(yīng)用，器件滿足符合開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目Open Rack V3（ORV3）標(biāo)準(zhǔn)的需求。

MOSFET有效輸出電容Co(er)和Co(tr)典型值分別僅為115pF和772pF，可改善硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開(kāi)關(guān)性能，如PFC、半橋和雙開(kāi)關(guān)順向設(shè)計(jì)。器件的電阻與Co(tr)乘積FOM低至5.87W*pF達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。

SiHP054N65E采用TO-220AB封裝，提高了dv/dt耐用性，符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素，耐受雪崩模式下電壓瞬變，并保證極限值100%通過(guò)UIS測(cè)試。

小型化顯著提高了功率密度，而高度集成則降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜性并加快產(chǎn)品上市速度。穩(wěn)壓器的控制器靜態(tài)耗電量很小，峰值效率高達(dá)97%。

microBRICK穩(wěn)壓器適用于數(shù)據(jù)中心、通信基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)應(yīng)用，可為FPGA、ASIC和SoC核心電源高效供電，有助于降低能耗。

主機(jī)側(cè)（電）和線路側(cè)（光）均為單通道100G PAM4信號(hào)。

光側(cè)及電側(cè)均使用第四代DSP技術(shù)，提供了業(yè)界領(lǐng)先的高靈敏度和低誤碼率（BER）性能，為組件變化和量產(chǎn)提供了足夠的性能余量。

線路側(cè)Rx支持專為應(yīng)對(duì)壓力MMF環(huán)境中的光學(xué)損傷而定制的性能增強(qiáng)功能。

集成支持可編程激光電流功能的100G VCSEL驅(qū)動(dòng)，可優(yōu)化模塊布局并降低BOM成本。

配有多階FIR濾波器的高性能發(fā)射器，可對(duì)模塊的電連接器和光接口進(jìn)行精確優(yōu)化。

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