18個單元在290s內(nèi)完成測量選擇較低的數(shù)據(jù)采集速率來實現(xiàn)高降噪
發(fā)布時間:2024/8/29 21:10:11 訪問次數(shù):167
多電池電池組監(jiān)控器,可測量多達18個串聯(lián)連接的電池,總測量誤差小于2.2mV。電池測量范圍為0V至5V,因此LTC6813-1適用于大多數(shù)電池化學。所有18個單元可在290s內(nèi)完成測量,并且可以選擇較低的數(shù)據(jù)采集速率來實現(xiàn)高降噪。
多個LTC6813-1器件可以串聯(lián)連接,允許對長高壓電池組進行同步電池監(jiān)控。
LTC6813-1可以直接由電池組或隔離電源供電。LTC6813-1包括每個電池的被動平衡,每個電池有單獨的PWM占空比控制。
每個LTC6813-1都有一個國際標準化組織SPI接口,用于高速、抗射頻干擾、長距離通信。多個器件以菊花鏈形式連接,所有器件通過一個主機處理器連接。這種菊花鏈可以雙向操作,即使通信路徑出現(xiàn)故障,也能確保通信的完整性。
其它特性包括板載5V穩(wěn)壓器、9條通用I/O線和休眠模式,在休眠模式下,功耗降至6A。
遙控系統(tǒng)的新系列微型紅外(IR)傳感器模塊---雙透鏡TSMP95000和單透鏡TSMP96000及TSMP98000。
Semiconductors 雙透鏡TSMP95000和單透鏡TSMP96000及TSMP98000具有調(diào)制載波輸出功能,適用于代碼學習應(yīng)用,供電電壓范圍2.0V至5.5V,3.3V下典型功耗低至0.35mA。
BM3G0xxMUV-LB系列還集成了額外的功能和外圍組件,旨在最大限度地提高GaN HEMT性能以及 650V GaN HEMT(下一代功率器件)。
ROHM的寬驅(qū)動電壓范圍(2.5V至30V)等功能可與主電源中的幾乎所有控制器IC兼容,從而有助于替換現(xiàn)有的硅(超級結(jié))MOSFET。 這使得可以同時減少55%的元件體積和功率損耗,以更小的尺寸實現(xiàn)更高的效率。
西旗科技(深圳)有限公司https://xiqi.51dzw.com
多電池電池組監(jiān)控器,可測量多達18個串聯(lián)連接的電池,總測量誤差小于2.2mV。電池測量范圍為0V至5V,因此LTC6813-1適用于大多數(shù)電池化學。所有18個單元可在290s內(nèi)完成測量,并且可以選擇較低的數(shù)據(jù)采集速率來實現(xiàn)高降噪。
多個LTC6813-1器件可以串聯(lián)連接,允許對長高壓電池組進行同步電池監(jiān)控。
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每個LTC6813-1都有一個國際標準化組織SPI接口,用于高速、抗射頻干擾、長距離通信。多個器件以菊花鏈形式連接,所有器件通過一個主機處理器連接。這種菊花鏈可以雙向操作,即使通信路徑出現(xiàn)故障,也能確保通信的完整性。
其它特性包括板載5V穩(wěn)壓器、9條通用I/O線和休眠模式,在休眠模式下,功耗降至6A。
遙控系統(tǒng)的新系列微型紅外(IR)傳感器模塊---雙透鏡TSMP95000和單透鏡TSMP96000及TSMP98000。
Semiconductors 雙透鏡TSMP95000和單透鏡TSMP96000及TSMP98000具有調(diào)制載波輸出功能,適用于代碼學習應(yīng)用,供電電壓范圍2.0V至5.5V,3.3V下典型功耗低至0.35mA。
BM3G0xxMUV-LB系列還集成了額外的功能和外圍組件,旨在最大限度地提高GaN HEMT性能以及 650V GaN HEMT(下一代功率器件)。
ROHM的寬驅(qū)動電壓范圍(2.5V至30V)等功能可與主電源中的幾乎所有控制器IC兼容,從而有助于替換現(xiàn)有的硅(超級結(jié))MOSFET。 這使得可以同時減少55%的元件體積和功率損耗,以更小的尺寸實現(xiàn)更高的效率。
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