隨著越來越多的太空應用被設計成在系統(tǒng)端處理數(shù)據(jù),而不是通過遙測技術(shù)將數(shù)據(jù)傳輸?shù)降孛孢M行處理,因此對高可靠性非易失性存儲器的需求會不斷增加，以配合太空級處理器與FPGA實現(xiàn)數(shù)據(jù)記錄應用。

SPI F-RAM存儲器推出并行接口存儲器體現(xiàn)了我們致力于為新一代太空需求提供一流的、高度可靠且靈活的解決方案。

與SPI版本一樣，新推出的并行接口F-RAM存儲器通過其化學成分獲得了出色的非易失性存儲器特性，例如用原子態(tài)瞬時切換取代了EEPROM技術(shù)中的捕獲電荷至程序位。

這款存儲器是豐富存儲器產(chǎn)品組合中的新成員，其特點是具有出色的可靠性和耐用性，在85攝氏度條件下的數(shù)據(jù)保存期長達120年，并且能以總線速度進行隨機存取和全存儲器寫入。

三束設計允許配接連接器之間存在更大的角度偏差，且配接力更低。

此外，MULTI-BEAM XLE連接器采用更薄的外殼設計，整體上減少了PCB上的空間占用，并提供了小功率端子版本，這也是業(yè)界公認的通用電源模塊（UPM）端子。

憑借這些特性，該系列器件能夠在LLC和ZVS 相移全橋等軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)高效率和高可靠性。它們在 PFC、TTF及其他硬開關(guān)拓撲中同樣具有出色的性能水平。

由于采用MPS結(jié)構(gòu)——利用激光退火背面減薄技術(shù)二極管電容電荷低至28nC，正向壓降減小為1.35 V。

此外，器件25°C下典型反向漏電流僅為2.5 µA，因此降低了導通損耗，確保系統(tǒng)輕載和空載期間的高能效。

MULTI-BEAM XLE 連接器采用三束端子，與原始的單束或四束矩形電源連接器設計相比，采用了更厚（更高）的導電材料。

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