240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃時(shí)顯示出更低導(dǎo)通電阻上升幅度
發(fā)布時(shí)間:2024/9/3 23:51:10 訪問次數(shù):99
這些特性使得多芯片時(shí)鐘和SYSREF對齊精準(zhǔn)且可預(yù)測。ADF4377頻率合成器與一個(gè)負(fù)責(zé)分配成對參考和SYSREF信號(hào)的IC配合使用，即可支持JESD204B和JESD204C子類1解決方案。ADF4377集成了所有必要的電源旁路電容，節(jié)省了緊湊電路板上的占板面積。
產(chǎn)品也符合Class I 和Class II應(yīng)用，允許在醫(yī)院等專業(yè)醫(yī)療設(shè)施中使用，也可以在患者的家中或工作場所遠(yuǎn)程使用。
基于(GaN)技術(shù)，低損耗AQM系列可提供高達(dá)94%的效率，在待機(jī)模式下功耗小于150mW，符合能源效率VI級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。該產(chǎn)品滿載輸出可達(dá)40C，溫度達(dá)到60C時(shí)負(fù)載開始降額。
AQM200系列尺寸僅為6.56”x2.13”x1.3”（166.5x54.2x33.0毫米），所有AQM產(chǎn)品均采用IP22密封，表面光滑，便于安全擦拭。
七款參考設(shè)計(jì)，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設(shè)計(jì)組合包括廣泛的開放式框架設(shè)計(jì)選項(xiàng)，覆蓋多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、輸出和功率（45W至140W）。
電源適配器參考設(shè)計(jì)采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設(shè)計(jì)簡單、可靠性高和性能強(qiáng)勁的優(yōu)勢，這些特點(diǎn)已經(jīng)成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。
在最近的對比分析中，與175毫歐的e-mode氮化鎵器件 相比，Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃時(shí)顯示出更低的導(dǎo)通電阻上升幅度，并在50%和100%（全）功率下?lián)碛懈叩男阅堋?/span>
西旗科技（銷售二部）https://xiqikeji.51dzw.com
這些特性使得多芯片時(shí)鐘和SYSREF對齊精準(zhǔn)且可預(yù)測。ADF4377頻率合成器與一個(gè)負(fù)責(zé)分配成對參考和SYSREF信號(hào)的IC配合使用，即可支持JESD204B和JESD204C子類1解決方案。ADF4377集成了所有必要的電源旁路電容，節(jié)省了緊湊電路板上的占板面積。
產(chǎn)品也符合Class I 和Class II應(yīng)用，允許在醫(yī)院等專業(yè)醫(yī)療設(shè)施中使用，也可以在患者的家中或工作場所遠(yuǎn)程使用。
基于(GaN)技術(shù)，低損耗AQM系列可提供高達(dá)94%的效率，在待機(jī)模式下功耗小于150mW，符合能源效率VI級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。該產(chǎn)品滿載輸出可達(dá)40C，溫度達(dá)到60C時(shí)負(fù)載開始降額。
AQM200系列尺寸僅為6.56”x2.13”x1.3”（166.5x54.2x33.0毫米），所有AQM產(chǎn)品均采用IP22密封，表面光滑，便于安全擦拭。
七款參考設(shè)計(jì)，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設(shè)計(jì)組合包括廣泛的開放式框架設(shè)計(jì)選項(xiàng)，覆蓋多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、輸出和功率（45W至140W）。
電源適配器參考設(shè)計(jì)采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設(shè)計(jì)簡單、可靠性高和性能強(qiáng)勁的優(yōu)勢，這些特點(diǎn)已經(jīng)成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。
在最近的對比分析中，與175毫歐的e-mode氮化鎵器件 相比，Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃時(shí)顯示出更低的導(dǎo)通電阻上升幅度，并在50%和100%（全）功率下?lián)碛懈叩男阅堋?/span>
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