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節(jié)省空間和能源的封裝的需求以此取代舊的SOT223和SOT89封裝

發(fā)布時間:2024/9/4 8:14:57 訪問次數(shù):119

功率雙極結(jié)型晶體管(BJT)產(chǎn)品組合再次擴(kuò)展,推出采用DFN2020D-3封裝的十款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品和十款汽車級產(chǎn)品。這些新器件的額定電壓為50V和80V,支持NPN和PNP極性的1A至3A電流范圍,進(jìn)一步鞏固了Nexperia作為市場領(lǐng)先供應(yīng)商的地位。

通過DFN封裝提供了其大部分的功率BJT,可滿足設(shè)計(jì)人員對節(jié)省空間和能源的封裝的需求,以此取代舊的SOT223和SOT89封裝。

高壓(HV)舌簧繼電器產(chǎn)品線,包括新推出的表面貼裝型Series 219 reed繼電器和單列直插式Series 104 reed繼電器的5kV版本。

這款繼電器能夠輕松切換高達(dá)1kV的電壓,并且是目前市場上唯一一款提供2 Form A和1 Form B封裝的表面貼裝高壓繼電器。所有觸點(diǎn)配置都提供3V、5V或12V線圈電壓選項(xiàng),并且1 Form A封裝的切換絕緣電壓最高可達(dá)3kV,1 Form B封裝最高可達(dá)2kV,而2 Form A封裝則最高可達(dá)1.5kV。

微型單列直插式(SIL/SIP)舌簧繼電器,具有高達(dá)5kV的絕緣電壓和高達(dá)1.5kV的切換電壓。

這種繼電器特別適合那些需要緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用,因?yàn)檫@些器件的堆疊高度僅為6.35mm。盡管體積小巧,但這款繼電器依然保持了可靠的性能,確保了高壓切換或控制操作的有效性和安全性。

新型晶體管由兩個耦合的“石墨烯/鍺”肖特基結(jié)組成。

載流子由石墨烯基極注入,隨后擴(kuò)散到發(fā)射極,并激發(fā)出受電場加熱的載流子,從而導(dǎo)致電流急劇增加。

這一設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了低于1 mV/dec的亞閾值擺幅,突破了傳統(tǒng)晶體管的玻爾茲曼極限(60 mV/dec)。

此外,該晶體管在室溫下還表現(xiàn)出峰谷電流比超過100的負(fù)微分電阻,展示出其在多值邏輯計(jì)算中的應(yīng)用潛力。

該工作開辟了晶體管器件研究的新領(lǐng)域,為熱載流子晶體管家族增添了新成員,并有望推動其在未來低功耗、多功能集成電路中廣泛應(yīng)用。



西旗科技(銷售二部)https://xiqikeji.51dzw.com

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通過DFN封裝提供了其大部分的功率BJT,可滿足設(shè)計(jì)人員對節(jié)省空間和能源的封裝的需求,以此取代舊的SOT223和SOT89封裝。

高壓(HV)舌簧繼電器產(chǎn)品線,包括新推出的表面貼裝型Series 219 reed繼電器和單列直插式Series 104 reed繼電器的5kV版本。

這款繼電器能夠輕松切換高達(dá)1kV的電壓,并且是目前市場上唯一一款提供2 Form A和1 Form B封裝的表面貼裝高壓繼電器。所有觸點(diǎn)配置都提供3V、5V或12V線圈電壓選項(xiàng),并且1 Form A封裝的切換絕緣電壓最高可達(dá)3kV,1 Form B封裝最高可達(dá)2kV,而2 Form A封裝則最高可達(dá)1.5kV。

微型單列直插式(SIL/SIP)舌簧繼電器,具有高達(dá)5kV的絕緣電壓和高達(dá)1.5kV的切換電壓。

這種繼電器特別適合那些需要緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用,因?yàn)檫@些器件的堆疊高度僅為6.35mm。盡管體積小巧,但這款繼電器依然保持了可靠的性能,確保了高壓切換或控制操作的有效性和安全性。

新型晶體管由兩個耦合的“石墨烯/鍺”肖特基結(jié)組成。

載流子由石墨烯基極注入,隨后擴(kuò)散到發(fā)射極,并激發(fā)出受電場加熱的載流子,從而導(dǎo)致電流急劇增加。

這一設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了低于1 mV/dec的亞閾值擺幅,突破了傳統(tǒng)晶體管的玻爾茲曼極限(60 mV/dec)。

此外,該晶體管在室溫下還表現(xiàn)出峰谷電流比超過100的負(fù)微分電阻,展示出其在多值邏輯計(jì)算中的應(yīng)用潛力。

該工作開辟了晶體管器件研究的新領(lǐng)域,為熱載流子晶體管家族增添了新成員,并有望推動其在未來低功耗、多功能集成電路中廣泛應(yīng)用。



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