TOLL封裝的4mΩ碳化硅（SiC）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。

該產(chǎn)品專為包括固態(tài)斷路器在內(nèi)的電路保護(hù)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，UJ4N075004L8S所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)在上述應(yīng)用中至關(guān)重要。

高能效氮化鎵（GaN） 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。GaN 在電機(jī)控制應(yīng)用中的參考設(shè)計(jì)和評(píng)估套件（EVK）。CGD旨在加快GaN功率IC在無(wú)刷直流電機(jī)（BLDC）和永磁同步電機(jī)（PMSM）應(yīng)用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統(tǒng)。

配備專業(yè)紋理相機(jī)，能夠真實(shí)還原物體色彩信息。SFH 4726AS LED使用的是紅外不可見光，投射時(shí)更安全、舒適，不會(huì)對(duì)人眼造成傷害。

智能補(bǔ)光設(shè)置使得用戶可以自由選擇開/關(guān)補(bǔ)光,避免光源頻閃側(cè)記的影響,真正實(shí)現(xiàn)不可見光掃描效果。

低VCEsat器件，例如PBS5350PAS-Q。這些器件結(jié)合了超低飽和電壓和高電流增益，有助于提高許多電源應(yīng)用的能效。低VCEsat晶體管性能卓越，可以取代采用更大封裝的標(biāo)準(zhǔn)晶體管，從而可以在更小的PCB上實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)。

10mmx10 mm 4040封裝的第二代新型汽車級(jí)器件---IHLE-4040DDEW-5A，擴(kuò)充IHLE®系列超薄、大電流集成式電場(chǎng)屏蔽電感器。

與上一代解決方案相比，Vishay Dale IHLE-4040DDEW-5A提供改進(jìn)的屏蔽設(shè)計(jì)，極性標(biāo)識(shí)提高EMI性能的一致性，不需要單獨(dú)板級(jí)法拉第（Faraday）屏蔽，從而降低成本，節(jié)省電路板空間。

SOI工藝（TarfSOI™），實(shí)現(xiàn)了非常高的帶寬：TDS4B212MX的-3dB帶寬（差分）為27.5 GHz（典型值）,TDS4A212MX為26.2 GHz（典型值），在業(yè)界處于領(lǐng)先地位。因此,新產(chǎn)品可用作PCIe®5.0,USB4®和USB4®Ver.2等高速差分信號(hào)的Mux/De-Mux開關(guān)。

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