將內(nèi)存芯片放置在非�？拷�(jì)算模塊位置降低處理器和內(nèi)存之間延遲

發(fā)布時(shí)間:2024/9/5 8:43:23 訪問次數(shù):90

傳統(tǒng)的PIR傳感器只有在被檢測(cè)物體移動(dòng)時(shí)才能產(chǎn)生可測(cè)量的響應(yīng)信號(hào)。而STHS34PF80傳感器內(nèi)置熱敏晶體管，因此能夠檢測(cè)到靜止物體。

此外，PIR傳感器感知移動(dòng)物體需要Fresnel透鏡，而新探測(cè)器則采用了一個(gè)更簡(jiǎn)單的無透鏡的結(jié)構(gòu)。

智能家居、智能建筑和物聯(lián)網(wǎng)需要精確的人員存在檢測(cè)功能，以提升照明、供暖、安保、安全監(jiān)控等系統(tǒng)的控制能力，打造一個(gè)可持續(xù)發(fā)展的未來。

盡管內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)主要關(guān)注速度和帶寬，但功耗才是大型部署效率低下的主要原因。

盡管JEDEC尚未發(fā)布HBM3 Gen2標(biāo)準(zhǔn)，但美光等公司正在開發(fā)下一代HBM設(shè)備，以滿足新興應(yīng)用的內(nèi)存需求。 HBM3 Gen2芯片以其HBM2E產(chǎn)品組合為基礎(chǔ)，出色的性能使其成為帶寬密集型應(yīng)用的有吸引力的解決方案。

HBM3內(nèi)存允許將內(nèi)存芯片放置在非�？拷�(jì)算模塊的位置，從而降低處理器和內(nèi)存之間的延遲，并提高內(nèi)存密集型應(yīng)用程序的性能。

就純帶寬而言，HBM3 Gen2芯片支持超過1.2 TB/s的內(nèi)存帶寬，可與AI計(jì)算核心結(jié)合使用，并且12層堆疊比8層容量密度增加50%。 HBM3 Gen2提高了性能并降低了功耗，每瓦性能提高了2.5倍，從而降低了系統(tǒng)的總運(yùn)營(yíng)成本。

新型STHS34PF80是一款經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的超低功耗傳感器，不管被檢測(cè)到的人員是否在建筑內(nèi)移動(dòng)，都能確保建筑自動(dòng)化系統(tǒng)的運(yùn)行始終如一，不受干擾。此外，這款新產(chǎn)品還創(chuàng)新地將CMOS芯片制造工藝、硅微加工技術(shù)和低壓電路設(shè)計(jì)能力整合在一起。