N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線重點(diǎn)聚焦于12V產(chǎn)品,主要用于智能手機(jī)鋰離子電池組保護(hù)。

實(shí)現(xiàn)具有低漏極-源極導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）的雙向開關(guān)需要兩個(gè)具有低RDS(ON)的MOSFET，尺寸為3.3mm3.3mm或2mm2mm。

USB PD（USB Power Delivery）專門針對(duì)需要高功率供電的設(shè)備而開發(fā)，可以提供從15W（5V/3A）直至最大240W（48V/5A）的功率。USB PD具有角色交換功能，支持電源側(cè)和接收側(cè)的互換，要求USB充電設(shè)備能夠雙向供電，以便能夠同時(shí)支持電力傳輸和電力接收。

4.5A STSPIN948和5.0A STSPIN958集成PWM控制邏輯電路和58V功率級(jí)，以及系統(tǒng)保護(hù)功能和兩個(gè)電流檢測(cè)運(yùn)放，適合驅(qū)動(dòng)直流有刷電機(jī)和雙極步進(jìn)電機(jī)。

兩款驅(qū)動(dòng)芯片都允許設(shè)計(jì)人員用一個(gè)外接電阻把輸出晶體管的壓擺率設(shè)為0.3V/ns、0.6V/ns、1.2V/ns或2V/ns，在功耗和電磁兼容性之間找到一個(gè)理想的均衡點(diǎn)。

內(nèi)置死時(shí)機(jī)制可以有效預(yù)防擊穿發(fā)生，每個(gè)MOSFET的導(dǎo)通電阻只有200mΩ，可以最大程度地提高能效。280ns的傳播延時(shí)確保驅(qū)動(dòng)快速應(yīng)答系統(tǒng)命令。

D型封裝器件容量達(dá)470µF至1500µF，120Hz和+25°C 條件下標(biāo)準(zhǔn)容差為±20%，同時(shí)提供公差為±10%的產(chǎn)品。STH系列器件工作溫度-55°C至+85°C，降額使用時(shí)可達(dá)+125°C。120Hz和+25°C條件下，ESR低至0.50Ω。電容器有標(biāo)準(zhǔn)錫/鉛（Pb）端接和符合RoHS的100%純錫端接不同類型。

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