AMD的Supermicro H13代WIO服務(wù)器，該產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化，可為采用新型AMD EPYC™8004系列處理器的邊緣和電信數(shù)據(jù)中心提供強(qiáng)大的性能和能源效率。

全新Supermicro H13 WIO和短深度前置I/O系統(tǒng)提供高能效的單插槽服務(wù)器，可降低企業(yè)、電信和邊緣應(yīng)用的運(yùn)營成本。這些系統(tǒng)設(shè)計(jì)有緊湊的外形尺寸和靈活的I/O選項(xiàng)，可用于存儲和聯(lián)網(wǎng)，使新服務(wù)器成為在邊緣網(wǎng)絡(luò)中部署的理想選擇。

N5200企業(yè)級固態(tài)硬盤還提供三種緊湊的E1.S外形規(guī)格：5.9mm、9.5mm和15mm。

主要應(yīng)用

為智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、可穿戴設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備提供ESD保護(hù)

為USB-C、Thunderbolt、HDMI、Display Port、MIPI、FireWire、DVI、S-ATA或SWP/NFC等高速接口提供ESD保護(hù)

主要特點(diǎn)和優(yōu)勢

低殘壓：≥3.8 V@ ITLP = 8 A

超低電容：低至0.18 pF

緊湊型封裝：WL-CSP01005和WL-CSP0201

超低剖面：100 µm (01005)或150 µm (0201)

超可靠的ESD接觸放電電壓抗性：高達(dá)25 kV

與傳統(tǒng)的m.2固態(tài)硬盤相比，E1.S為閃存封裝提供了更大的空間，在熱效率、空間要求和功耗方面也具有顯著優(yōu)勢。此外，E1.S還提供對稱封裝(9.5mm)和非對稱散熱片(15mm)型號，可改善通風(fēng)服務(wù)器組件的冷卻和性能。

N5200遵循開放計(jì)算項(xiàng)目(OCP)定義的OCP云規(guī)范 1.0，旨在提高數(shù)據(jù)中心的效率、靈活性和創(chuàng)新性。包含適用于多種數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施和組件的指南和設(shè)計(jì)模板。

多單元電池堆棧監(jiān)控器,LTC6810可測量多達(dá)6個(gè)串聯(lián)連接的電池單元，總測量誤差小于1.8mV。

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