使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品,DC 1500V將得到廣泛應(yīng)用.MG250YD2YMS3具有低導(dǎo)通損耗和0.7V（典型值）的低漏極-源極導(dǎo)通電壓（傳感器）。

此外，它還具有較低的開(kāi)通和關(guān)斷損耗，分別為14mJ（典型值）和11mJ（典型值），與典型的硅（Si）IGBT相比降低了約90%。這些特性均有助于提高設(shè)備效率。

由于MG250YD2YMS3可實(shí)現(xiàn)較低的開(kāi)關(guān)損耗，用戶可采用模塊數(shù)量更少的兩電平電路取代傳統(tǒng)的三電平電路，有助于設(shè)備的小型化。

新產(chǎn)品是碳化硅MOSFET產(chǎn)品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產(chǎn)品，其封裝支持柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)源極端使用開(kāi)爾文連接，有助于減少封裝內(nèi)源極線電感的影響，從而提高高速開(kāi)關(guān)性能。

目前采用3引腳TO-247封裝的產(chǎn)品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的開(kāi)通損耗降低了約40%，關(guān)斷損耗降低了約34%。這一改善有助于降低設(shè)備功率損耗。

ADE9153A IC用三個(gè)高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)制作而成,具有88dB信噪比(SNR)和一系列高級(jí)計(jì)量功能。

這些測(cè)量包括線路電壓和電流、有功電能、基本無(wú)功電能、視在電能計(jì)算以及電流和電壓有效值計(jì)算。ADE9153A可進(jìn)行各種電源品質(zhì)測(cè)量，如過(guò)零檢測(cè)、行頻周期計(jì)算、角度測(cè)量、電壓驟降與驟升、峰值和過(guò)電流檢測(cè)以及功率因數(shù)測(cè)量。

ADE9153A的每個(gè)輸入通道均支持靈活且獨(dú)立的增益級(jí)。電流通道A適用于分流器，具有靈活的增益級(jí)，并提供從62.5mV峰值到26.04mV峰值的全量程輸入范圍。

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