傳統(tǒng)鋁電解電容器中安全閥通常位于鋁罐底部新型設(shè)計(jì)則改到鋁罐側(cè)面
發(fā)布時(shí)間:2024/9/19 22:46:22 訪問次數(shù):196
超緊湊的尺寸和超大紋波載流能力的特點(diǎn),并且兼容RoHS指令,設(shè)計(jì)的最大額定電壓為450V DC,從電容范圍270μ F至820μ F之間,有七種額定容量可供選擇。其中電容值為270μ F至560μ F電容器還有不同尺寸,增加了設(shè)計(jì)的靈活性。
這一特點(diǎn)源自增強(qiáng)的新型罐底設(shè)計(jì),改善了主動冷卻性能。在傳統(tǒng)鋁電解電容器中,安全閥通常位于鋁罐底部,但新型設(shè)計(jì)則改到鋁罐側(cè)面。
這種設(shè)計(jì)改進(jìn)和主動冷卻選項(xiàng)可將電容器的紋波電流能力提高85%。
ST-ONEMP數(shù)字控制器基于市場首個(gè)ST-ONE架構(gòu),在一個(gè)封裝內(nèi)集成Arm® Cortex®-M0+微控制器、高能效非互補(bǔ)有源鉗位反激式控制器和USB-PD 3.1接口。ST-ONE 架構(gòu)的初級側(cè)和次級側(cè)電路之間電流隔離,極大地簡化了USB-PD電源適配器的設(shè)計(jì)和組裝。
現(xiàn)在,通過增加電能共享支持功能,最新的ST-ONEMP簡化了在USB-PD 輸出外再增加一個(gè)輸出的雙充電口設(shè)計(jì),提高終端用戶的充電靈活性和便利性。
在ST-ONEMP內(nèi)部,Cortex-M0+MCU微控制器位于充電器次級側(cè),片上64KB閃存用于保存定制USB-PD協(xié)議和電源轉(zhuǎn)換固件。

控制器內(nèi)置所有的必備的保護(hù)功能,包括過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)和掉電保護(hù)。
智能自動重載定時(shí)器 (ART)允許所有保護(hù)機(jī)制無閂鎖操作,確保照明燈具有優(yōu)異的可靠性和卓越的用戶體驗(yàn)。
深圳市恒凱威科技開發(fā)有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
超緊湊的尺寸和超大紋波載流能力的特點(diǎn),并且兼容RoHS指令,設(shè)計(jì)的最大額定電壓為450V DC,從電容范圍270μ F至820μ F之間,有七種額定容量可供選擇。其中電容值為270μ F至560μ F電容器還有不同尺寸,增加了設(shè)計(jì)的靈活性。
這一特點(diǎn)源自增強(qiáng)的新型罐底設(shè)計(jì),改善了主動冷卻性能。在傳統(tǒng)鋁電解電容器中,安全閥通常位于鋁罐底部,但新型設(shè)計(jì)則改到鋁罐側(cè)面。
這種設(shè)計(jì)改進(jìn)和主動冷卻選項(xiàng)可將電容器的紋波電流能力提高85%。
ST-ONEMP數(shù)字控制器基于市場首個(gè)ST-ONE架構(gòu),在一個(gè)封裝內(nèi)集成Arm® Cortex®-M0+微控制器、高能效非互補(bǔ)有源鉗位反激式控制器和USB-PD 3.1接口。ST-ONE 架構(gòu)的初級側(cè)和次級側(cè)電路之間電流隔離,極大地簡化了USB-PD電源適配器的設(shè)計(jì)和組裝。
現(xiàn)在,通過增加電能共享支持功能,最新的ST-ONEMP簡化了在USB-PD 輸出外再增加一個(gè)輸出的雙充電口設(shè)計(jì),提高終端用戶的充電靈活性和便利性。
在ST-ONEMP內(nèi)部,Cortex-M0+MCU微控制器位于充電器次級側(cè),片上64KB閃存用于保存定制USB-PD協(xié)議和電源轉(zhuǎn)換固件。

控制器內(nèi)置所有的必備的保護(hù)功能,包括過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)和掉電保護(hù)。
智能自動重載定時(shí)器 (ART)允許所有保護(hù)機(jī)制無閂鎖操作,確保照明燈具有優(yōu)異的可靠性和卓越的用戶體驗(yàn)。
深圳市恒凱威科技開發(fā)有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
熱門點(diǎn)擊
- IoT設(shè)備增加了4G/5G模塊其信號發(fā)射瞬間
- SPAD產(chǎn)品的選擇范圍提升解決眾多視近紅外功
- 在驅(qū)動模塊開關(guān)管柵極加RC驅(qū)動輸出加電容濾波
- 輸入信號變化到對應(yīng)輸出信號變化所經(jīng)過時(shí)間類似
- 傳統(tǒng)鋁電解電容器中安全閥通常位于鋁罐底部新型
- 系統(tǒng)失真和建立問題提供多路復(fù)用多通道精密信號
- LPDDR直接安裝在設(shè)備主板上導(dǎo)致在維修或升
- 在待機(jī)狀態(tài)下芯片內(nèi)部需要電流維持基本電路功能
- 芯片通過CO和DO管腳控制外部充放電MOS關(guān)
- 將大面積的鐵氧體表面耦合連接到散熱片上大幅提
推薦技術(shù)資料
- 聲道前級設(shè)計(jì)特點(diǎn)
- 與通常的Hi-Fi前級不同,EP9307-CRZ這臺分... [詳細(xì)]
- 1200 V CoolSiC MOSFET
- 高帶寬內(nèi)存(HBM)和芯片間互連(ICI)應(yīng)
- 第七代TPU—Ironwood
- Neuralink新款“心靈感
- IR最新功率MOSFET的30
- 全新第4代SiC MOSFET
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究