隨著CPU內(nèi)核數(shù)量的不斷增加以滿足數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載需求，系統(tǒng)對(duì)更高的內(nèi)存帶寬與容量的需求也顯著增長，從而在應(yīng)對(duì)“內(nèi)存墻”挑戰(zhàn)的同時(shí)優(yōu)化客戶的總體擁有成本。

1β DDR5 DRAM支持計(jì)算能力向更高的性能擴(kuò)展，能支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和客戶端平臺(tái)上的人工智能（AI）訓(xùn)練和推理、生成式AI、數(shù)據(jù)分析和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫（IMDB）等應(yīng)用。全新1β DDR5 DRAM產(chǎn)品線提供速率從4,800 MT/s到7,200 MT/s的現(xiàn)有模塊密度，能夠滿足數(shù)據(jù)中心和客戶端的應(yīng)用需求。

面向客戶端和數(shù)據(jù)中心平臺(tái)的1β DDR5 DRAM量產(chǎn)及出貨，標(biāo)志著行業(yè)的一個(gè)重要里程碑。我們與生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及客戶緊密合作，將推動(dòng)高性能內(nèi)存產(chǎn)品的市場普及。

在這類應(yīng)用中，必須使用高速開關(guān)器件，因此，支持高速開關(guān)的GaN器件的同時(shí)，還開發(fā)出可更大程度地激發(fā)出GaN器件性能的超高速驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器IC。不僅如此，還會(huì)不定期推出更小型的WLCSP*2產(chǎn)品，助力應(yīng)用產(chǎn)品的小型化。

新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了納秒（ns）量級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)速度，從而使GaN器件可實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)。

之所以能實(shí)現(xiàn)該特性，離不開ROHM對(duì)GaN器件的深入研究以及對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器IC性能的追求。通過最小柵極輸入脈寬為1.25納秒的高速開關(guān)，助力應(yīng)用產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)小型化、進(jìn)一步節(jié)能和更高性能。

KickStart連接器系統(tǒng)，進(jìn)一步豐富了其符合開放計(jì)算項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)的解決方案。作為創(chuàng)新的一體化系統(tǒng)，KickStart是首款符合OCP標(biāo)準(zhǔn)的解決方案，將低速和高速信號(hào)以及電源電路集成到單一電纜組件中。

這個(gè)完整的系統(tǒng)消除了多個(gè)元件的需求，優(yōu)化空間利用，并加速升級(jí)，為服務(wù)器和設(shè)備制造商提供一種啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)器外設(shè)連接的方法，不但靈活、標(biāo)準(zhǔn)化，又易于實(shí)施。

最新一代免趨動(dòng)USB千兆以太網(wǎng)芯片,提供客戶一個(gè)即插即用的USB轉(zhuǎn)千兆以太網(wǎng)芯片解決方案，無需煩人的驅(qū)動(dòng)程序下載與安裝步驟，從而優(yōu)化客戶的連網(wǎng)體驗(yàn)。

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