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70毫歐和150毫歐SuperGaN器件實現(xiàn)高效AC-DC功率轉(zhuǎn)換和高功率密度

發(fā)布時間:2024/9/24 13:27:16 訪問次數(shù):230

InnoGaN 650V GaN芯片實現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換,其中,PFC慢橋臂采用2顆INN650TA030AH,其采用Toll封裝、導(dǎo)通電阻為30mΩ;PFC快橋臂采用2顆INN650TA070AH,其同樣采用Toll封裝,導(dǎo)通電阻為70mΩ;LLC橋臂采用4顆INN650D080BS,其采用DFN8*8封裝,導(dǎo)通電阻為80mΩ。

通過效率測試,在輸入電壓230Vac/264Vac的條件下,本方案的最高效率可達(dá)到96.5%,能輕松滿足80 Plus鈦金級能效標(biāo)準(zhǔn),進一步為數(shù)據(jù)中心提供高效電源。

在通信電源、LED照明等應(yīng)用中,本方案同樣具備小體積、高效率的優(yōu)勢,具有廣泛的應(yīng)用前景。


兩款面向電動車充電應(yīng)用的全新參考設(shè)計。300W和600W恒流/恒壓(CC/CV)電池充電器采用 Transphorm的70毫歐和150毫歐SuperGaN器件,以極具競爭力的成本實現(xiàn)高效的 AC-DC 功率轉(zhuǎn)換和高功率密度。這兩款參考設(shè)計旨在幫助兩輪和三輪電動車充電器快速實現(xiàn)量產(chǎn)。

這兩款參考設(shè)計還可用于各種其它應(yīng)用,包括快充、LED可調(diào)光驅(qū)動器、游戲機和高性能筆記本電腦。

如果將天線單純地小型化,寄生元件與接地之間的電磁場耦合會變強,因此,與饋電天線之間的耦合就會相對變?nèi)。通過使用本產(chǎn)品,可以加強饋電天線與寄生元件之間的耦合,即使使用小型天線也能獲得良好的特性。

通過讓寄生元件與饋電天線進行強電磁耦合,可以增加寄生元件的天線共振,實現(xiàn)天線高效化。

抑制因天線電纜較長而導(dǎo)致的性能下降:天線在寬頻帶上使用時,會出現(xiàn)阻抗失配,從而導(dǎo)致無線通信的性能惡化。

而且,將阻抗失配的天線連接到通信電路上,長電纜會進一步加劇阻抗失配,從而導(dǎo)致插入損耗高于預(yù)期,無線通信的性能會顯著惡化。通過使用本產(chǎn)品,可以改善天線匹配情況,即使在使用長電纜時也能抑制無線通信的性能惡化。

與Si MOS相比,Innoscience產(chǎn)品具備低Qg、低Co(tr)以及無反向恢復(fù)損耗Qrr等特性。

深圳市恒凱威科技開發(fā)有限公司http://szhkwkj.51dzw.com

InnoGaN 650V GaN芯片實現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換,其中,PFC慢橋臂采用2顆INN650TA030AH,其采用Toll封裝、導(dǎo)通電阻為30mΩ;PFC快橋臂采用2顆INN650TA070AH,其同樣采用Toll封裝,導(dǎo)通電阻為70mΩ;LLC橋臂采用4顆INN650D080BS,其采用DFN8*8封裝,導(dǎo)通電阻為80mΩ。

通過效率測試,在輸入電壓230Vac/264Vac的條件下,本方案的最高效率可達(dá)到96.5%,能輕松滿足80 Plus鈦金級能效標(biāo)準(zhǔn),進一步為數(shù)據(jù)中心提供高效電源。

在通信電源、LED照明等應(yīng)用中,本方案同樣具備小體積、高效率的優(yōu)勢,具有廣泛的應(yīng)用前景。


兩款面向電動車充電應(yīng)用的全新參考設(shè)計。300W和600W恒流/恒壓(CC/CV)電池充電器采用 Transphorm的70毫歐和150毫歐SuperGaN器件,以極具競爭力的成本實現(xiàn)高效的 AC-DC 功率轉(zhuǎn)換和高功率密度。這兩款參考設(shè)計旨在幫助兩輪和三輪電動車充電器快速實現(xiàn)量產(chǎn)。

這兩款參考設(shè)計還可用于各種其它應(yīng)用,包括快充、LED可調(diào)光驅(qū)動器、游戲機和高性能筆記本電腦。

如果將天線單純地小型化,寄生元件與接地之間的電磁場耦合會變強,因此,與饋電天線之間的耦合就會相對變?nèi)酢Mㄟ^使用本產(chǎn)品,可以加強饋電天線與寄生元件之間的耦合,即使使用小型天線也能獲得良好的特性。

通過讓寄生元件與饋電天線進行強電磁耦合,可以增加寄生元件的天線共振,實現(xiàn)天線高效化。

抑制因天線電纜較長而導(dǎo)致的性能下降:天線在寬頻帶上使用時,會出現(xiàn)阻抗失配,從而導(dǎo)致無線通信的性能惡化。

而且,將阻抗失配的天線連接到通信電路上,長電纜會進一步加劇阻抗失配,從而導(dǎo)致插入損耗高于預(yù)期,無線通信的性能會顯著惡化。通過使用本產(chǎn)品,可以改善天線匹配情況,即使在使用長電纜時也能抑制無線通信的性能惡化。

與Si MOS相比,Innoscience產(chǎn)品具備低Qg、低Co(tr)以及無反向恢復(fù)損耗Qrr等特性。

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