InnoGaN 650V GaN芯片實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換，其中，PFC慢橋臂采用2顆INN650TA030AH，其采用Toll封裝、導(dǎo)通電阻為30mΩ；PFC快橋臂采用2顆INN650TA070AH，其同樣采用Toll封裝，導(dǎo)通電阻為70mΩ；LLC橋臂采用4顆INN650D080BS，其采用DFN8*8封裝，導(dǎo)通電阻為80mΩ。

與Si MOS相比，Innoscience產(chǎn)品具備低Qg、低Co（tr）以及無反向恢復(fù)損耗Qrr等特性。

通過效率測試，在輸入電壓230Vac/264Vac的條件下，本方案的最高效率可達(dá)到96.5%，能輕松滿足80 Plus鈦金級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)一步為數(shù)據(jù)中心提供高效電源。

兩款面向電動(dòng)車充電應(yīng)用的全新參考設(shè)計(jì)。300W和600W恒流/恒壓（CC/CV）電池充電器采用 Transphorm的70毫歐和150毫歐SuperGaN器件，以極具競爭力的成本實(shí)現(xiàn)高效的AC-DC功率轉(zhuǎn)換和高功率密度。這兩款參考設(shè)計(jì)旨在幫助兩輪和三輪電動(dòng)車充電器快速實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

這兩款參考設(shè)計(jì)還可用于各種其它應(yīng)用，包括快充、LED可調(diào)光驅(qū)動(dòng)器、游戲機(jī)和高性能筆記本電腦。

如果將天線單純地小型化，寄生元件與接地之間的電磁場耦合會(huì)變強(qiáng)，因此，與饋電天線之間的耦合就會(huì)相對(duì)變?nèi)酢?/span>

通過讓寄生元件與饋電天線進(jìn)行強(qiáng)電磁耦合，可以增加寄生元件的天線共振，實(shí)現(xiàn)天線高效化。

抑制因天線電纜較長而導(dǎo)致的性能下降：天線在寬頻帶上使用時(shí)，會(huì)出現(xiàn)阻抗失配，從而導(dǎo)致無線通信的性能惡化。

而且，將阻抗失配的天線連接到通信電路上，長電纜會(huì)進(jìn)一步加劇阻抗失配，從而導(dǎo)致插入損耗高于預(yù)期，無線通信的性能會(huì)顯著惡化。通過使用本產(chǎn)品，可以改善天線匹配情況，即使在使用長電纜時(shí)也能抑制無線通信的性能惡化。

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