Atmel公司日前宣布推出基于硅鍺(Silicon Germanium, SiGe)的新型前端集成電路(front-end IC) -- ATR0981。該器件整合了接收路徑的功率放大器(PA)和低噪音放大器(LNA)。

        ATR0981是利用Atmel的硅鍺技術(shù)制成的集成電路。由于受溫度的影響較小，硅鍺確保了高度可靠性和穩(wěn)定性。

        硅鍺還可提高效率，其功率附加效率(PAE)達(dá)55%，這有助于確保功率放大器的低電流消耗。總電流消耗可以通過(guò)關(guān)閉功率放大器得到降低，從而延長(zhǎng)電池壽命。

        該器件輸出功率可達(dá)29dBm，功率放大器的功率增益為34dB，并可以在3dB范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)整。ATR0981的LNA提供極好的噪音性能，噪音系數(shù)為1.5dB，功率增益為19dB。

        ATR0981樣品目前以無(wú)鉛、環(huán)保PSSO20封裝推出。購(gòu)買1000件ATR0981的單價(jià)為1.20美元。