C8051與SRAM的高速接口
發(fā)布時(shí)間:2008/5/27 0:00:00 訪問(wèn)次數(shù):1100
     剛
     來(lái)源:《單片機(jī)與嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用》
     摘要:c8051是美國(guó)cygnal公司生產(chǎn)的、與標(biāo)準(zhǔn)51兼容的高速單片機(jī),速度高達(dá)25
     mips,但它擴(kuò)展外部sram的方式與標(biāo)準(zhǔn)51單片機(jī)不同。單片機(jī)訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器的速度直接影響系統(tǒng)的性能。本文介紹兩種提高c8051訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器速度的接口方法,其速度均超過(guò)現(xiàn)有文獻(xiàn)所給出的接口方法。
    
    
     關(guān)鍵詞:單片機(jī)
     sram c8051 接口方法
     c8051系列單片機(jī)沒有與標(biāo)準(zhǔn)的51單片機(jī)那樣的數(shù)據(jù)總線(rd、wr、ale)等,只能采用通用i/o口模擬總線方式訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器。因此,c8051訪問(wèn)一次外部存儲(chǔ)器需要幾十條指令。即便這樣,由于c8051的絕大多數(shù)指令的執(zhí)行只需一個(gè)機(jī)器(振蕩)周期,在同樣的時(shí)鐘下與標(biāo)準(zhǔn)的51單片機(jī)相當(dāng)。例如,20mhz的時(shí)鐘下,在文獻(xiàn)[2]給出的sram接口方式中,c8051讀或?qū)?個(gè)字節(jié)需要1.7μs,這就是說(shuō)可以達(dá)到的最大傳輸率為588kb/s。相比之下,標(biāo)準(zhǔn)51讀或?qū)?個(gè)字節(jié)需要1.2μs。為了充分發(fā)揮c8051的能力,本文介紹兩種提高訪問(wèn)外部sram速度的接口方法。
     1 擴(kuò)展外部sram的高速接口電路之一
     圖1所示電路可提高訪問(wèn)外部sram的速度。該電路充分利用c8051系列口線多的優(yōu)勢(shì),避免采用端口復(fù)用的費(fèi)時(shí)方法。采用該接口電路的讀和寫周期的時(shí)序波形分別修改為如圖2和圖3所示。為節(jié)省篇幅,這里略去初始化部分(初始化數(shù)字交叉開關(guān)和設(shè)置端口)的程序,直接給出讀、寫程序。
     sram_read:
     mov p2,dph ;輸出外部地址a15..a8
     mov p3,dpl ;輸出外部地址a7..a0
     anl p1,#0b7h ;選擇sram,發(fā)出讀選通
     mov a,p0 ;讀數(shù)據(jù)
     orl p1,#48h ;使讀選通和sram片選無(wú)效
     ret
     同樣,完成寫1個(gè)字節(jié)到外部sram的操作共需15字節(jié)、19個(gè)周期,需要0.95μs(包括執(zhí)行ret指令的0.25μs)。
    
     2 擴(kuò)展外部sram的高速接口電路之二
     圖4給出了c8051擴(kuò)展外部sram的接口電路,圖5和圖6分別給出了c8051訪問(wèn)(讀或?qū)懀┩獠看鎯?chǔ)器的時(shí)序圖。
     由圖4可以看出,此外部擴(kuò)展ram的高速接口電路的改進(jìn)為:①高、低位地址都由p2口提供,而不是由p3口分時(shí)復(fù)用地提供低位地址和數(shù)據(jù)(總線)。這樣,可以節(jié)省每次讀寫都要改變p3口的設(shè)置而消耗的時(shí)間。②盡可能地把控制信號(hào)同步給出,特別是在讀外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),同時(shí)給出cs、ale和wr信號(hào),可以節(jié)省1~2個(gè)指令周期的時(shí)間。
     為方便起見,下面根據(jù)圖4的接口電路,給出常量和聲明:
     data1 equ p3 ;數(shù)據(jù)端口引腳(ad7..0)
     datacf equ prt3cf
     ;端口配置寄存器對(duì)數(shù)據(jù)
     addr equ p2 ;地址端口引腳(a15..8)
     addrcf equ prt2cf
     ;端口配置寄存器對(duì)地址
     a16 equ p1.5
     ;最高地址位(地址塊選擇)
     rd equ p1.4 ;讀選通(低電平有效)
     wr equ p1.3 ;寫選通(低電平有效)
     ale equ p1.2
     ;地址鎖存信號(hào)(低電平有效)
     cs equ p1.1 ;sram片選信號(hào)(低電平有效)
     下面為主程序中與訪問(wèn)外部sram有關(guān)的部分(初始化數(shù)字交叉開關(guān)和端口、數(shù)據(jù)指針等):
     org 0b3h<
     剛
     來(lái)源:《單片機(jī)與嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用》
     摘要:c8051是美國(guó)cygnal公司生產(chǎn)的、與標(biāo)準(zhǔn)51兼容的高速單片機(jī),速度高達(dá)25
     mips,但它擴(kuò)展外部sram的方式與標(biāo)準(zhǔn)51單片機(jī)不同。單片機(jī)訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器的速度直接影響系統(tǒng)的性能。本文介紹兩種提高c8051訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器速度的接口方法,其速度均超過(guò)現(xiàn)有文獻(xiàn)所給出的接口方法。
    
    
     關(guān)鍵詞:單片機(jī)
     sram c8051 接口方法
     c8051系列單片機(jī)沒有與標(biāo)準(zhǔn)的51單片機(jī)那樣的數(shù)據(jù)總線(rd、wr、ale)等,只能采用通用i/o口模擬總線方式訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器。因此,c8051訪問(wèn)一次外部存儲(chǔ)器需要幾十條指令。即便這樣,由于c8051的絕大多數(shù)指令的執(zhí)行只需一個(gè)機(jī)器(振蕩)周期,在同樣的時(shí)鐘下與標(biāo)準(zhǔn)的51單片機(jī)相當(dāng)。例如,20mhz的時(shí)鐘下,在文獻(xiàn)[2]給出的sram接口方式中,c8051讀或?qū)?個(gè)字節(jié)需要1.7μs,這就是說(shuō)可以達(dá)到的最大傳輸率為588kb/s。相比之下,標(biāo)準(zhǔn)51讀或?qū)?個(gè)字節(jié)需要1.2μs。為了充分發(fā)揮c8051的能力,本文介紹兩種提高訪問(wèn)外部sram速度的接口方法。
     1 擴(kuò)展外部sram的高速接口電路之一
     圖1所示電路可提高訪問(wèn)外部sram的速度。該電路充分利用c8051系列口線多的優(yōu)勢(shì),避免采用端口復(fù)用的費(fèi)時(shí)方法。采用該接口電路的讀和寫周期的時(shí)序波形分別修改為如圖2和圖3所示。為節(jié)省篇幅,這里略去初始化部分(初始化數(shù)字交叉開關(guān)和設(shè)置端口)的程序,直接給出讀、寫程序。
     sram_read:
     mov p2,dph ;輸出外部地址a15..a8
     mov p3,dpl ;輸出外部地址a7..a0
     anl p1,#0b7h ;選擇sram,發(fā)出讀選通
     mov a,p0 ;讀數(shù)據(jù)
     orl p1,#48h ;使讀選通和sram片選無(wú)效
     ret
     同樣,完成寫1個(gè)字節(jié)到外部sram的操作共需15字節(jié)、19個(gè)周期,需要0.95μs(包括執(zhí)行ret指令的0.25μs)。
    
     2 擴(kuò)展外部sram的高速接口電路之二
     圖4給出了c8051擴(kuò)展外部sram的接口電路,圖5和圖6分別給出了c8051訪問(wèn)(讀或?qū)懀┩獠看鎯?chǔ)器的時(shí)序圖。
     由圖4可以看出,此外部擴(kuò)展ram的高速接口電路的改進(jìn)為:①高、低位地址都由p2口提供,而不是由p3口分時(shí)復(fù)用地提供低位地址和數(shù)據(jù)(總線)。這樣,可以節(jié)省每次讀寫都要改變p3口的設(shè)置而消耗的時(shí)間。②盡可能地把控制信號(hào)同步給出,特別是在讀外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),同時(shí)給出cs、ale和wr信號(hào),可以節(jié)省1~2個(gè)指令周期的時(shí)間。
     為方便起見,下面根據(jù)圖4的接口電路,給出常量和聲明:
     data1 equ p3 ;數(shù)據(jù)端口引腳(ad7..0)
     datacf equ prt3cf
     ;端口配置寄存器對(duì)數(shù)據(jù)
     addr equ p2 ;地址端口引腳(a15..8)
     addrcf equ prt2cf
     ;端口配置寄存器對(duì)地址
     a16 equ p1.5
     ;最高地址位(地址塊選擇)
     rd equ p1.4 ;讀選通(低電平有效)
     wr equ p1.3 ;寫選通(低電平有效)
     ale equ p1.2
     ;地址鎖存信號(hào)(低電平有效)
     cs equ p1.1 ;sram片選信號(hào)(低電平有效)
     下面為主程序中與訪問(wèn)外部sram有關(guān)的部分(初始化數(shù)字交叉開關(guān)和端口、數(shù)據(jù)指針等):
     org 0b3h<
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