芯片測試原理討論在芯片開發(fā)和生產(chǎn)過程中芯片測試的基本原理，一共分為四章，下面將要介紹的是第二章。我們在第一章介紹了芯片的基本測試原理，描述了影響芯片測試方案選擇的基本因素，定義了芯片測試過程中的常用術(shù)語。本文將討論怎么把這些原理應(yīng)用到存儲器和邏輯芯片的測試上。接下來的第三章將介紹混合信號芯片的測試，第四章會介紹射頻/無線芯片的測試。

    存儲器和邏輯芯片的測試

    存儲器芯片測試介紹

    存儲器芯片是在特定條件下用來存儲數(shù)字信息的芯片。存儲的信息可以是操作代碼，數(shù)據(jù)文件或者是二者的結(jié)合等。根據(jù)特性的不同，存儲器可以分為以下幾類，如表1所示：

    存儲器的種類與特性

    存儲器術(shù)語的定義

    在討論存儲器芯片測試之前，有必要先定義一些相關(guān)的術(shù)語。

    寫入恢復(fù)時間(write recovery time):一個存儲單元在寫入操作之后和正確讀取之前中間必須等待的時間。

    保持時間(hold time):輸入數(shù)據(jù)電平在鎖存時鐘之后必須保持的時間間隔。

    pause test:存儲器內(nèi)容保持時間的測試。

    刷新時間(refresh time):存儲器刷新的最大時間間隔。

    建立時間(setup time):輸入數(shù)據(jù)電平在鎖存時鐘之前必須穩(wěn)定保持的時間間隔。

    上升和下降時間(rise and fall times)：功能速度測試是通過重復(fù)地進行功能測試，同時改變芯片測試的周期或頻率來完成的。測試的周期通常使用二進制搜索的辦法來進行改變。這些測試能夠測出芯片的最快運行速度。

    寫入恢復(fù)(write recovery):一個存儲單元在寫入操作之后和下一個存儲單元能正確讀取之前中間必須等待的時間。

    讀取時間(access time):通常是指在讀使能，片選信號或地址改變到輸出端輸出新數(shù)據(jù)的所需的最小時間。讀取時間取決于存儲器讀取時的流程。

    存儲器芯片測試中的功能測試

    存儲器芯片必須經(jīng)過許多必要的測試以保證其功能正確。這些測試主要用來確保芯片不包含一下類型的錯誤：

    存儲單元短路：存儲單元與電源或者地段路

    存儲單元開路：存儲單元在寫入時狀態(tài)不能改變相鄰單元短路：根據(jù)不同的短路狀態(tài)，相鄰的單元會被寫入相同或相反的數(shù)據(jù)地址

    開路或短路：這種錯誤引起一個存儲單元對應(yīng)多個地址或者多個地址對應(yīng)一個存儲單元。這種錯誤不容易被檢測，因為我們一次只能檢查輸入地址所對應(yīng)的輸出響應(yīng)，很難確定是哪一個物理地址被真正讀取。

    存儲單元干擾：它是指在寫入或者讀取一個存儲單元的時候可能會引起它周圍或者相鄰的存儲單元狀態(tài)的改變,也就是狀態(tài)被干擾了。

    存儲器芯片測試時用于錯誤檢測的測試向量

    測試向量是施加給存儲器芯片的一系列的功能，即不同的讀和寫等的功能組合。它主要用于測試芯片的功能錯誤。常用的存儲器測試向量如下所示，分別介紹一下他們的執(zhí)行方式以及測試目的.

    全”0”和全”1”向量: 4n行向量

    執(zhí)行方式：對所有單元寫”1”再讀取驗證所有單元。對所有單元寫”0”再讀取驗證所有單元。

    目的：檢查存儲單元短路或者開路錯誤。也能檢查相鄰單元短路的問題。

    棋盤格(checkerboard)向量：4n行向量

    執(zhí)行方式：先運行0-1棋盤格向量，也就是第一個單元寫1，第二個單元寫0，第三個單元再寫1，依此類推，直到最后一個單元，接下來再讀取并驗證所有單元。再運行一個1-0棋盤格向量，就是對所有單元寫入跟0-1棋盤格完全相反的數(shù)據(jù)，再讀取并驗證所有單元。

    目的：這是功能測試，地址解碼和單元干擾的一個最基本最簡單的測試向量。它還能檢查連續(xù)地址錯誤或者干擾錯誤，也通常用它作為時間測量時的向量。

    patterns marching向量：5n行向量

    執(zhí)行方式：先對所有單元寫0.讀取第一個單元，再對第一個單元寫1。再讀取第二個單元，再對第二個單元寫1，依此類推，直到最后一