GaNFET在6GHz頻率條件下可產(chǎn)生174W功率
發(fā)布時間:2007/4/23 0:00:00 訪問次數(shù):713
GaN FET在6GHz頻率條件下可產(chǎn)生174W功率 場效應管（FET）在輸出功率上超過了GaAs（砷化鎵）器件，功率密度被提高了7倍。目前市面上的GaAs器件的額定輸出功率大約為90W/6 GHz和30W/14 GHz，而相比之下，GaN的飽和電子速度、介質(zhì)擊穿電壓和工作溫度范圍都要高于GaAs。對于在GHz級工作頻率條件下實現(xiàn)更高的輸出功率而言，這些因素是很重要的。
這款器件采用了一種外延層結(jié)構(gòu)，具有優(yōu)化的FET布局和尺寸設置，并運用了一種旨在實現(xiàn)低接觸電阻和低柵極漏電流的新型表面處理工藝。Toshiba公司的生產(chǎn)過程還使用了一種改進版本的傳統(tǒng)步進工藝，與C波段GaN器件常用的電子束平板印刷術相比，它更加適用于大批量生產(chǎn)。一個GaN功率FET芯片的大小為2.92毫米×0.71毫米，一個包含4顆芯片的封裝器件（如照片中所示）的外部尺寸為24.5毫米×17.4毫米。欲知更多情況，請登錄以下網(wǎng)址www.toshiba.co.jp/about/press/2005_09/pr1201.htm。
www.toshiba.co.jp
這款器件采用了一種外延層結(jié)構(gòu)，具有優(yōu)化的FET布局和尺寸設置，并運用了一種旨在實現(xiàn)低接觸電阻和低柵極漏電流的新型表面處理工藝。Toshiba公司的生產(chǎn)過程還使用了一種改進版本的傳統(tǒng)步進工藝，與C波段GaN器件常用的電子束平板印刷術相比，它更加適用于大批量生產(chǎn)。一個GaN功率FET芯片的大小為2.92毫米×0.71毫米，一個包含4顆芯片的封裝器件（如照片中所示）的外部尺寸為24.5毫米×17.4毫米。欲知更多情況，請登錄以下網(wǎng)址www.toshiba.co.jp/about/press/2005_09/pr1201.htm。
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GaN FET在6GHz頻率條件下可產(chǎn)生174W功率 場效應管（FET）在輸出功率上超過了GaAs（砷化鎵）器件，功率密度被提高了7倍。目前市面上的GaAs器件的額定輸出功率大約為90W/6 GHz和30W/14 GHz，而相比之下，GaN的飽和電子速度、介質(zhì)擊穿電壓和工作溫度范圍都要高于GaAs。對于在GHz級工作頻率條件下實現(xiàn)更高的輸出功率而言，這些因素是很重要的。
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這款器件采用了一種外延層結(jié)構(gòu)，具有優(yōu)化的FET布局和尺寸設置，并運用了一種旨在實現(xiàn)低接觸電阻和低柵極漏電流的新型表面處理工藝。Toshiba公司的生產(chǎn)過程還使用了一種改進版本的傳統(tǒng)步進工藝，與C波段GaN器件常用的電子束平板印刷術相比，它更加適用于大批量生產(chǎn)。一個GaN功率FET芯片的大小為2.92毫米×0.71毫米，一個包含4顆芯片的封裝器件（如照片中所示）的外部尺寸為24.5毫米×17.4毫米。欲知更多情況，請登錄以下網(wǎng)址www.toshiba.co.jp/about/press/2005_09/pr1201.htm。
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