飛兆半導體公司(fairchild semiconductor)推出40v p溝道powertrench mosfet產品fdd4141，為功率工程師提供快速開關的解決方案，可將開關損耗減少達一半。fdd4141具有低導通阻抗(rds(on))，與目前的mosfet比較能降低柵極電荷(qg)達50%，可讓便攜、計算、消費和家庭娛樂產品中的異步降壓、電池充電和逆變器開關等應用，以更高的速度進行切換，而不會產生過多的熱量�？焖匍_關是步降轉換器等開關速度需要達到數百khz應用的必備條件。盡管其它mosfet解決方案亦可在較高頻率下進行切換，但這些解決方案的柵極電荷較高，造成發(fā)熱更多、效率降低。

　　fdd4141采用飛兆半導體專有的powertrench工藝技術制造，可將負載電流更高的晶圓封裝在尺寸更小的封裝中。powertrench技術將n溝道m(xù)osfet的特性運用在p溝道m(xù)osfet中，使到p溝道m(xù)osfet具備n溝道m(xù)osfet的性能，并表現出更低的rds (on)和更低的柵極電荷，繼而更高的效率，同時還能夠在數百khz的高頻下切換，以達致步降轉換器的開關要求。

　　fdd4141是飛兆半導體廣泛全面的powertrench mosfet產品組合的一部分，能夠滿足當今電子產品的電氣和熱性能要求，有助于實現能效目標。飛兆半導體性能先進的powertrench mosfet工藝技術能夠實現非常低的密勒電荷(qgd)、rds(on)和總體柵極電荷(qg)值，當用于同步降壓應用時，可提供出色的開關性能和熱效率。

　　fdd4141采用無鉛(pb-free)端子，潮濕敏感度符合ipc/jedec j-std-020標準對無鉛回流焊的要求。所有飛兆半導體產品均設計滿足歐盟有害物質限用指令(rohs)的要求。

　　現提供樣品，收到訂單后8至10周內交貨。