低成本地提高負(fù)線性穩(wěn)壓器的負(fù)載電流
發(fā)布時間:2008/5/28 0:00:00 訪問次數(shù):445
將set端接地使u1的輸出電壓為2.5v。u1的最大負(fù)載電流為200ma。q1、r1、r2、r3從負(fù)載中分出另一個最大為120ma的電流,從而使得在無輸出校準(zhǔn)下的最大總負(fù)載電流為320ma。
除降低q1的功耗之外,r1還可使q1免于發(fā)生熱失控并能在短路輸出時提供瞬間保護(hù)。通過限制q1環(huán)路的增益,r1還能防止振蕩。當(dāng)電流從u1的out端流至vss時,會在r2、r3上產(chǎn)生電壓降vr2,當(dāng)vr2值接近q1的偏壓vbe時,q1導(dǎo)通并產(chǎn)生負(fù)載電流。vbe在室溫下約為0.7v。
選擇適當(dāng)?shù)膔1、r2及r3值,以確保r2、r3及q1在最大負(fù)載電流(本例為320ma)下具有最大耗散功率。當(dāng)負(fù)載電流為320ma時,u1中的電流為200ma、q1中的電流為120ma。最大負(fù)載下的元件功率耗散分別為:
pr1=ir12*r1=120ma2*9.1ù=131mw
pq1=vq1*iq1=(vss*vr1*vout)*iq1=(5v*1.1v*2.5v)*120ma=168mw
pr2=ir22*r2=100ma2*18ù=180mw
pr3=ir32*r3=100ma2*18ù=180mw
pu1=vu1*iu1=(vss*vr2-vout)*iu1=(5v*1.8v*2.5v)*200ma=140mw
為了提供更高的負(fù)載電流,可通過提高r1、r、r3及q1的功率耗散等級來改進(jìn)該電路。當(dāng)負(fù)載電流為320ma時,各元件的詳細(xì)資料如表所示。為了散熱,電路板應(yīng)有充足的銅片連接至散熱元件的引腳。熱量通過元件的引腳傳導(dǎo)至電路板,然后通過銅片散發(fā)出去。通過能量轉(zhuǎn)換保護(hù)電路板。
將set端接地使u1的輸出電壓為2.5v。u1的最大負(fù)載電流為200ma。q1、r1、r2、r3從負(fù)載中分出另一個最大為120ma的電流,從而使得在無輸出校準(zhǔn)下的最大總負(fù)載電流為320ma。
除降低q1的功耗之外,r1還可使q1免于發(fā)生熱失控并能在短路輸出時提供瞬間保護(hù)。通過限制q1環(huán)路的增益,r1還能防止振蕩。當(dāng)電流從u1的out端流至vss時,會在r2、r3上產(chǎn)生電壓降vr2,當(dāng)vr2值接近q1的偏壓vbe時,q1導(dǎo)通并產(chǎn)生負(fù)載電流。vbe在室溫下約為0.7v。
選擇適當(dāng)?shù)膔1、r2及r3值,以確保r2、r3及q1在最大負(fù)載電流(本例為320ma)下具有最大耗散功率。當(dāng)負(fù)載電流為320ma時,u1中的電流為200ma、q1中的電流為120ma。最大負(fù)載下的元件功率耗散分別為:
pr1=ir12*r1=120ma2*9.1ù=131mw
pq1=vq1*iq1=(vss*vr1*vout)*iq1=(5v*1.1v*2.5v)*120ma=168mw
pr2=ir22*r2=100ma2*18ù=180mw
pr3=ir32*r3=100ma2*18ù=180mw
pu1=vu1*iu1=(vss*vr2-vout)*iu1=(5v*1.8v*2.5v)*200ma=140mw
為了提供更高的負(fù)載電流,可通過提高r1、r、r3及q1的功率耗散等級來改進(jìn)該電路。當(dāng)負(fù)載電流為320ma時,各元件的詳細(xì)資料如表所示。為了散熱,電路板應(yīng)有充足的銅片連接至散熱元件的引腳。熱量通過元件的引腳傳導(dǎo)至電路板,然后通過銅片散發(fā)出去。通過能量轉(zhuǎn)換保護(hù)電路板。
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