安森美半導(dǎo)體推出11個新型低飽和電壓BJT
發(fā)布時間:2008/5/28 0:00:00 訪問次數(shù):517
全球領(lǐng)先的電源管理解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體（on semiconductor,美國納斯達克上市代號：onnn）宣布，進一步拓展其在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低飽和電壓(vce(sat))雙極結(jié)晶體管（bjt）產(chǎn)品系列至wdfn6、wdfn3、sot-23、sot-563和chipfet的封裝。這些備有多種封裝選擇的新器件采用先進硅技術(shù)，與傳統(tǒng)bjt或者平板mosfet相比，其電源效率更佳，電池壽命更長。這些新器件是各種便攜式應(yīng)用的理想選擇。
安森美半導(dǎo)體分立產(chǎn)品部總經(jīng)理mamoon rashid說：“安森美半導(dǎo)體將持續(xù)拓展便攜式產(chǎn)品系列，從而使設(shè)計更靈活，并實現(xiàn)最佳的節(jié)能。我們的bjt在同類產(chǎn)品中脫穎而出，在業(yè)內(nèi)是電源功耗最少且熱性能最佳。我們已將該系列擴展到20個以上的產(chǎn)品，在目前市場上高性能bjt方面為設(shè)計工程師提供最多的選擇。
新型低vce(sat)表面貼裝器件是特別針對低電壓，高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計而成，其中電源效率控制至關(guān)重要。其特征為超低vce(sat)—1安培下45毫伏（mv） – 和高電流增益。它們具有 >8,000伏 （v）的出色靜電放電 （esd）耐受性，可以在發(fā)生意外浪涌和損害的情況下進行自我保護。其電性能優(yōu)越和溫度系數(shù)低，提高了電源效率，并最終提高了電池電力保持能力。
sot-23是業(yè)內(nèi)最受歡迎的封裝之一，且價格最低。sot-563是最小的新型bjt封裝(1.6 mm x 1.6 mm x 1.0 mm)。 兩種wdfn封裝為2.0 mm x 2.0 mm，并且高度低，為0.7 mm，是目前市場上便攜式應(yīng)用中的熱效率最好的。3.0 mm x 2.0 mm x 1.0 mm的chipfet的整體性能最佳。
這些器件理想應(yīng)用于電源管理、電池充電、低壓降穩(wěn)壓、振動馬達、led背光、磁盤驅(qū)動控制、照相機閃光燈以及低降壓/升壓轉(zhuǎn)換器。
封裝及定價
完整的低vce(sat) bjt系列備有多種行業(yè)領(lǐng)先的封裝，包括sot-23、sot-563、wdfn、chipfet、sc-88、sc-74和tsop-6。每10,000片的批量單價由0.18到0.40美元不等。
要獲得更多關(guān)于安森美半導(dǎo)體低vce(sat)器件系列的信息，請訪問www.onsemi.com.cn，關(guān)鍵字為 “bjt” ，或聯(lián)系steve sheard(電郵地址：steve.sheard@onsemi.com)。
安森美半導(dǎo)體分立產(chǎn)品部總經(jīng)理mamoon rashid說：“安森美半導(dǎo)體將持續(xù)拓展便攜式產(chǎn)品系列，從而使設(shè)計更靈活，并實現(xiàn)最佳的節(jié)能。我們的bjt在同類產(chǎn)品中脫穎而出，在業(yè)內(nèi)是電源功耗最少且熱性能最佳。我們已將該系列擴展到20個以上的產(chǎn)品，在目前市場上高性能bjt方面為設(shè)計工程師提供最多的選擇。
新型低vce(sat)表面貼裝器件是特別針對低電壓，高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計而成，其中電源效率控制至關(guān)重要。其特征為超低vce(sat)—1安培下45毫伏（mv） – 和高電流增益。它們具有 >8,000伏 （v）的出色靜電放電 （esd）耐受性，可以在發(fā)生意外浪涌和損害的情況下進行自我保護。其電性能優(yōu)越和溫度系數(shù)低，提高了電源效率，并最終提高了電池電力保持能力。
sot-23是業(yè)內(nèi)最受歡迎的封裝之一，且價格最低。sot-563是最小的新型bjt封裝(1.6 mm x 1.6 mm x 1.0 mm)。 兩種wdfn封裝為2.0 mm x 2.0 mm，并且高度低，為0.7 mm，是目前市場上便攜式應(yīng)用中的熱效率最好的。3.0 mm x 2.0 mm x 1.0 mm的chipfet的整體性能最佳。
這些器件理想應(yīng)用于電源管理、電池充電、低壓降穩(wěn)壓、振動馬達、led背光、磁盤驅(qū)動控制、照相機閃光燈以及低降壓/升壓轉(zhuǎn)換器。
封裝及定價
完整的低vce(sat) bjt系列備有多種行業(yè)領(lǐng)先的封裝，包括sot-23、sot-563、wdfn、chipfet、sc-88、sc-74和tsop-6。每10,000片的批量單價由0.18到0.40美元不等。
要獲得更多關(guān)于安森美半導(dǎo)體低vce(sat)器件系列的信息，請訪問www.onsemi.com.cn，關(guān)鍵字為 “bjt” ，或聯(lián)系steve sheard(電郵地址：steve.sheard@onsemi.com)。
全球領(lǐng)先的電源管理解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體（on semiconductor,美國納斯達克上市代號：onnn）宣布，進一步拓展其在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低飽和電壓(vce(sat))雙極結(jié)晶體管（bjt）產(chǎn)品系列至wdfn6、wdfn3、sot-23、sot-563和chipfet的封裝。這些備有多種封裝選擇的新器件采用先進硅技術(shù)，與傳統(tǒng)bjt或者平板mosfet相比，其電源效率更佳，電池壽命更長。這些新器件是各種便攜式應(yīng)用的理想選擇。
安森美半導(dǎo)體分立產(chǎn)品部總經(jīng)理mamoon rashid說：“安森美半導(dǎo)體將持續(xù)拓展便攜式產(chǎn)品系列，從而使設(shè)計更靈活，并實現(xiàn)最佳的節(jié)能。我們的bjt在同類產(chǎn)品中脫穎而出，在業(yè)內(nèi)是電源功耗最少且熱性能最佳。我們已將該系列擴展到20個以上的產(chǎn)品，在目前市場上高性能bjt方面為設(shè)計工程師提供最多的選擇。
新型低vce(sat)表面貼裝器件是特別針對低電壓，高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計而成，其中電源效率控制至關(guān)重要。其特征為超低vce(sat)—1安培下45毫伏（mv） – 和高電流增益。它們具有 >8,000伏 （v）的出色靜電放電 （esd）耐受性，可以在發(fā)生意外浪涌和損害的情況下進行自我保護。其電性能優(yōu)越和溫度系數(shù)低，提高了電源效率，并最終提高了電池電力保持能力。
sot-23是業(yè)內(nèi)最受歡迎的封裝之一，且價格最低。sot-563是最小的新型bjt封裝(1.6 mm x 1.6 mm x 1.0 mm)。 兩種wdfn封裝為2.0 mm x 2.0 mm，并且高度低，為0.7 mm，是目前市場上便攜式應(yīng)用中的熱效率最好的。3.0 mm x 2.0 mm x 1.0 mm的chipfet的整體性能最佳。
這些器件理想應(yīng)用于電源管理、電池充電、低壓降穩(wěn)壓、振動馬達、led背光、磁盤驅(qū)動控制、照相機閃光燈以及低降壓/升壓轉(zhuǎn)換器。
封裝及定價
完整的低vce(sat) bjt系列備有多種行業(yè)領(lǐng)先的封裝，包括sot-23、sot-563、wdfn、chipfet、sc-88、sc-74和tsop-6。每10,000片的批量單價由0.18到0.40美元不等。
要獲得更多關(guān)于安森美半導(dǎo)體低vce(sat)器件系列的信息，請訪問www.onsemi.com.cn，關(guān)鍵字為 “bjt” ，或聯(lián)系steve sheard(電郵地址：steve.sheard@onsemi.com)。
安森美半導(dǎo)體分立產(chǎn)品部總經(jīng)理mamoon rashid說：“安森美半導(dǎo)體將持續(xù)拓展便攜式產(chǎn)品系列，從而使設(shè)計更靈活，并實現(xiàn)最佳的節(jié)能。我們的bjt在同類產(chǎn)品中脫穎而出，在業(yè)內(nèi)是電源功耗最少且熱性能最佳。我們已將該系列擴展到20個以上的產(chǎn)品，在目前市場上高性能bjt方面為設(shè)計工程師提供最多的選擇。
新型低vce(sat)表面貼裝器件是特別針對低電壓，高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計而成，其中電源效率控制至關(guān)重要。其特征為超低vce(sat)—1安培下45毫伏（mv） – 和高電流增益。它們具有 >8,000伏 （v）的出色靜電放電 （esd）耐受性，可以在發(fā)生意外浪涌和損害的情況下進行自我保護。其電性能優(yōu)越和溫度系數(shù)低，提高了電源效率，并最終提高了電池電力保持能力。
sot-23是業(yè)內(nèi)最受歡迎的封裝之一，且價格最低。sot-563是最小的新型bjt封裝(1.6 mm x 1.6 mm x 1.0 mm)。 兩種wdfn封裝為2.0 mm x 2.0 mm，并且高度低，為0.7 mm，是目前市場上便攜式應(yīng)用中的熱效率最好的。3.0 mm x 2.0 mm x 1.0 mm的chipfet的整體性能最佳。
這些器件理想應(yīng)用于電源管理、電池充電、低壓降穩(wěn)壓、振動馬達、led背光、磁盤驅(qū)動控制、照相機閃光燈以及低降壓/升壓轉(zhuǎn)換器。
封裝及定價
完整的低vce(sat) bjt系列備有多種行業(yè)領(lǐng)先的封裝，包括sot-23、sot-563、wdfn、chipfet、sc-88、sc-74和tsop-6。每10,000片的批量單價由0.18到0.40美元不等。
要獲得更多關(guān)于安森美半導(dǎo)體低vce(sat)器件系列的信息，請訪問www.onsemi.com.cn，關(guān)鍵字為 “bjt” ，或聯(lián)系steve sheard(電郵地址：steve.sheard@onsemi.com)。
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