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集成電路的版圖設計規(guī)則

發(fā)布時間:2008/5/28 0:00:00 訪問次數(shù):791

ic設計與工藝制備之間的接口
制定目的:使芯片尺寸在盡可能小的前提下,避免線條寬度的偏差和不同層版套準偏差可能帶來的問題,盡可能地提高電路制備的成品率
什么是設計規(guī)則?考慮器件在正常工作的條件下,根據(jù)實際工藝水平(包括光刻特性、刻蝕能力、對準容差等)和成品率要求,給出的一組同一工藝層及不同工藝層之間幾何尺寸的限制,主要包括線寬、間距、覆蓋、露頭、凹口、面積等規(guī)則,分別給出它們的最小值,以防止掩膜圖形的斷裂、連接和一些不良物理效應的出現(xiàn)。
對于雙極型集成電路,是以引線孔為基準,尺寸規(guī)定如下(詳細見圖):
①引線孔的最小尺寸為2 ×2 。
②金屬條的最小寬度為2 ,擴散區(qū)(包括基區(qū)、發(fā)射區(qū)和集電區(qū))的最小寬度為2 ,
p+隔離框的最小寬度為2 .
③擴散區(qū)對引線孔各邊留有的富裕量大于或等于1  ,埋層對基區(qū)各邊應留有的富裕量大于或等于1 。
④除n+埋層與p+隔離槽間的最小間距應為4 外,其余的最小間距均為2 。這是因為p+的隔離擴散深度較深,故橫向擴散也大,所以應留有較大富裕量。

中速ttl電路版圖設計規(guī)則(μm)
最小套刻間距 5
最小隔離槽寬度 10
元件與隔離槽最小間距 18
埋層與隔離槽最小間距 18
基區(qū)和集電極孔最小間距 5
最小發(fā)射極孔 8×8
最小基極孔寬 8
最小集電極孔寬 8
最小電阻條寬 10
電阻條間最小間距 7
最小電阻引線孔 8×8
鋁條最小寬度(包括兩邊覆蓋2μm) 10
長鋁條最小間距 10
短鋁條最小間距 5
鍵合點最小面積 100×100
兩鍵合點最小間距 70
隔離槽外邊界與鍵合點之間的最小間距 150
劃片間距 400


ic設計與工藝制備之間的接口
制定目的:使芯片尺寸在盡可能小的前提下,避免線條寬度的偏差和不同層版套準偏差可能帶來的問題,盡可能地提高電路制備的成品率
什么是設計規(guī)則?考慮器件在正常工作的條件下,根據(jù)實際工藝水平(包括光刻特性、刻蝕能力、對準容差等)和成品率要求,給出的一組同一工藝層及不同工藝層之間幾何尺寸的限制,主要包括線寬、間距、覆蓋、露頭、凹口、面積等規(guī)則,分別給出它們的最小值,以防止掩膜圖形的斷裂、連接和一些不良物理效應的出現(xiàn)。
對于雙極型集成電路,是以引線孔為基準,尺寸規(guī)定如下(詳細見圖):
①引線孔的最小尺寸為2 ×2 。
②金屬條的最小寬度為2 ,擴散區(qū)(包括基區(qū)、發(fā)射區(qū)和集電區(qū))的最小寬度為2 ,
p+隔離框的最小寬度為2 .
③擴散區(qū)對引線孔各邊留有的富裕量大于或等于1  ,埋層對基區(qū)各邊應留有的富裕量大于或等于1 。
④除n+埋層與p+隔離槽間的最小間距應為4 外,其余的最小間距均為2 。這是因為p+的隔離擴散深度較深,故橫向擴散也大,所以應留有較大富裕量。

中速ttl電路版圖設計規(guī)則(μm)
最小套刻間距 5
最小隔離槽寬度 10
元件與隔離槽最小間距 18
埋層與隔離槽最小間距 18
基區(qū)和集電極孔最小間距 5
最小發(fā)射極孔 8×8
最小基極孔寬 8
最小集電極孔寬 8
最小電阻條寬 10
電阻條間最小間距 7
最小電阻引線孔 8×8
鋁條最小寬度(包括兩邊覆蓋2μm) 10
長鋁條最小間距 10
短鋁條最小間距 5
鍵合點最小面積 100×100
兩鍵合點最小間距 70
隔離槽外邊界與鍵合點之間的最小間距 150
劃片間距 400


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