MOS晶體管的平方律轉(zhuǎn)移特性
發(fā)布時間:2008/5/28 0:00:00 訪問次數(shù):1704
將mos晶體管的柵漏連接，因為vgs=vds，所以，vds>vgs-vtn， 導(dǎo)通的器件一定工作在飽和區(qū)。這時，晶體管的電流-電壓特性應(yīng)遵循飽和區(qū)的薩氏方程 ids=kn/2·w/l·(vgs-vtn)2(1+λvds)
即平方律關(guān)系。4種mos晶體管的平方律轉(zhuǎn)移特性如圖所示，這樣的連接方式在許多設(shè)計中被采用。
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將mos晶體管的柵漏連接，因為vgs=vds，所以，vds>vgs-vtn， 導(dǎo)通的器件一定工作在飽和區(qū)。這時，晶體管的電流-電壓特性應(yīng)遵循飽和區(qū)的薩氏方程 ids=kn/2·w/l·(vgs-vtn)2(1+λvds)
即平方律關(guān)系。4種mos晶體管的平方律轉(zhuǎn)移特性如圖所示，這樣的連接方式在許多設(shè)計中被采用。
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