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Infineon推出基于巨磁電阻效應(yīng)的iGMR傳感器

發(fā)布時間:2008/5/29 0:00:00 訪問次數(shù):818

  infineon已經(jīng)開始將這一效應(yīng)應(yīng)用于測量汽車轉(zhuǎn)向角度,并成為世界上第一個開始大批量生產(chǎn)集成巨磁阻抗傳感器(igmr)的半導(dǎo)體供應(yīng)商。infineon具有非凡精度的可測量0°到360°的傳感器,集成了兩個gmr全橋,一個溫度傳感器,兩個a/d轉(zhuǎn)換器,幾個穩(wěn)壓器,額外的濾波器和用于持續(xù)監(jiān)測這些器件運(yùn)行的內(nèi)部機(jī)制。

  infineon的傳感器芯片tle 5010提供了兩個數(shù)字角度分量:一個正弦函數(shù)和一個余弦函數(shù)。通過一個spi接口將傳感器連接到八位mcu可以計算一個精確的角度信號。在傳感器和mcu之間傳輸數(shù)字型數(shù)據(jù)意味著降低了易感性干擾,而且用于補(bǔ)償?shù)募蓽囟葌鞲衅鞔_保了-40 °c 到 +150 °c廣泛的溫度范圍內(nèi)具有高精確角度。

  gmr效應(yīng)是基于由多層厚度為幾納米的金屬膜間磁場產(chǎn)生的阻抗變化的原理。簡單地說,薄膜帶有一個固定參考層,穩(wěn)定的磁化方向(參考方向)和一個傳感器層,其磁化方向跟隨外部磁場,就像指南針的指針。通過一個僅僅幾個原子厚度的銅層將傳感器層和參考層分離開,從而產(chǎn)生gmr效應(yīng)。這類薄膜的電抗是根據(jù)所用磁場和傳感器參考層間角度變化的。infineon成功地將這種必要精度的層集成到標(biāo)準(zhǔn)cmos半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中。

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  gmr效應(yīng)是基于由多層厚度為幾納米的金屬膜間磁場產(chǎn)生的阻抗變化的原理。簡單地說,薄膜帶有一個固定參考層,穩(wěn)定的磁化方向(參考方向)和一個傳感器層,其磁化方向跟隨外部磁場,就像指南針的指針。通過一個僅僅幾個原子厚度的銅層將傳感器層和參考層分離開,從而產(chǎn)生gmr效應(yīng)。這類薄膜的電抗是根據(jù)所用磁場和傳感器參考層間角度變化的。infineon成功地將這種必要精度的層集成到標(biāo)準(zhǔn)cmos半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中。

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