日前，意法半導(dǎo)體（ST）與海力士半導(dǎo)體（Hynix）在無錫的存儲(chǔ)器芯片前端制造合資工廠破土動(dòng)工，項(xiàng)目計(jì)劃總投資20億美元。該工廠將擁有8英寸和12英寸兩條生產(chǎn)線，主要提供DRAM內(nèi)存和NAND閃存產(chǎn)品。首批DRAM和NAND產(chǎn)品的容量分別為512Mb和4Gb~8Gb，2007年將能夠供應(yīng)1Gb的DRAM和8Gb~16Gb的NAND產(chǎn)品。

　　作為NOR閃存領(lǐng)先提供商，ST公司認(rèn)為隨著市場(chǎng)對(duì)多媒體信息處理能力要求的不斷提升，提供能把NAND、NOR和DRAM存儲(chǔ)產(chǎn)品集于一體的解決方案將成為大勢(shì)所趨。為了具備另外兩種存儲(chǔ)產(chǎn)品的供應(yīng)能力，ST公司在2003年開始與韓國的Hynix公司開展密切合作，共同研發(fā)NAND產(chǎn)品。2004年11月，雙方?jīng)Q定在中國無錫建立合資工廠，同時(shí)為雙方生產(chǎn)供應(yīng)NAND和DRAM產(chǎn)品。這樣一來，ST公司也就成為囊括NAND、NOR和DRAM三種主流存儲(chǔ)產(chǎn)品的廠商。

　　據(jù)悉，合資工廠的8英寸生產(chǎn)線將采用90納米工藝，主要生產(chǎn)DRAM產(chǎn)品，制造設(shè)施從Hynix位于韓國的制造廠轉(zhuǎn)移到新工廠，預(yù)計(jì)2006年達(dá)到量產(chǎn)。另外一條12英寸生產(chǎn)線計(jì)劃采用70納米工藝，產(chǎn)能將對(duì)等分配給DRAM和NAND產(chǎn)品，預(yù)計(jì)2007年達(dá)到量產(chǎn)。

　　合作雙方均表示，由于NAND和DRAM產(chǎn)品在生產(chǎn)工藝上有很多重合部分，因此十分利于進(jìn)行靈活的生產(chǎn)任務(wù)切換。新工廠下線的產(chǎn)品將采用ST公司的MCP（多芯片封裝）堆疊式封裝技術(shù)，向市場(chǎng)提供單一封裝的NAND加DRAM存儲(chǔ)解決方案，同時(shí)ST公司設(shè)在深圳的封裝測(cè)試工廠也將有能力為這一新工廠提供服務(wù)。