國巨成功開發(fā)出X5R 1210 100μF高容值積層陶瓷電容
發(fā)布時間:2008/6/3 0:00:00 訪問次數(shù):906
國巨公司(yageo)宣布,成功開發(fā)x5r1210100μf(微法拉)高容值積層陶瓷電容(mlcc)。這是國巨公司于2005年7月起獲得2,200萬元補(bǔ)助金,執(zhí)行“經(jīng)濟(jì)部”工業(yè)局“主導(dǎo)性新產(chǎn)品開發(fā)輔導(dǎo)計劃”的研究成果,該計劃已于2006年底結(jié)案。
國巨公司mlcc研發(fā)技術(shù)中心協(xié)理胡慶利博士表示:“x5r1210100μf積層陶瓷電容運用了多項先進(jìn)技術(shù),包括奈米粉體覆蓋、內(nèi)埋式電極、精密印刷、低溫端電極等。藉由整合國巨研發(fā)團(tuán)隊資源以及工研院材化所、臺大材料所的研發(fā)能力,在高容值mlcc產(chǎn)品的開發(fā)上,具備前所未有的指標(biāo)意義!
他解釋說,所謂高容值mlcc的定義是,其電容值大于1μf,以及介電層厚度小于4微米。而這顆1210100μf產(chǎn)品的介電層厚度為1.7~1.8微米,堆棧數(shù)高達(dá)八百余層,對國巨來說來說,是一重要的技術(shù)突破。
而針對mlcc目前朝向小型化與高電容密度的發(fā)展趨勢來看,胡慶利表示,透過此計劃所累積的技術(shù)將有助于國巨未來開發(fā)出更高階的產(chǎn)品。
但就市場應(yīng)用來看,胡慶利指出,100μf高容值mlcc可應(yīng)用于液晶電視、液晶顯示器、電源供應(yīng)器,及低功耗的手持式消費電子產(chǎn)品。目前,100μf的高容值電容市場是由鉭質(zhì)電容主導(dǎo),而x5r1210100μf積層陶瓷電容的溫度性穩(wěn)定較高,在-55℃至85℃的工作溫度范圍內(nèi),誤差值僅為±15%,生產(chǎn)成品率穩(wěn)定,長期來看有可能在未來取代鉭質(zhì)電容市場需求。
但是,考慮成本效益與目前的市場需求,國巨公司積層陶瓷電容事業(yè)部副總經(jīng)理胡湘麒表示,從市場需求來看,1210100μf并不會是該公司今年的重點。另一顆日前推出的小尺寸060310μf產(chǎn)品,是以計算機(jī)產(chǎn)品應(yīng)用為主,才會是國巨今年高容值mlcc產(chǎn)品的重點。060310μf產(chǎn)品的介電層厚度為1.2微米,堆棧層數(shù)為三百多層;就介電層厚度的技術(shù)指標(biāo)來看,還是一顆高端組件。
胡慶利表示,國巨仍將持續(xù)開發(fā)更高端的高容產(chǎn)品,并同時也會再積極爭取經(jīng)濟(jì)部的相關(guān)研發(fā)計劃,除高容外,高壓、高頻mlcc組件的開發(fā)都有可能是下一階段的提案方向。
國巨公司mlcc研發(fā)技術(shù)中心協(xié)理胡慶利博士表示:“x5r1210100μf積層陶瓷電容運用了多項先進(jìn)技術(shù),包括奈米粉體覆蓋、內(nèi)埋式電極、精密印刷、低溫端電極等。藉由整合國巨研發(fā)團(tuán)隊資源以及工研院材化所、臺大材料所的研發(fā)能力,在高容值mlcc產(chǎn)品的開發(fā)上,具備前所未有的指標(biāo)意義!
他解釋說,所謂高容值mlcc的定義是,其電容值大于1μf,以及介電層厚度小于4微米。而這顆1210100μf產(chǎn)品的介電層厚度為1.7~1.8微米,堆棧數(shù)高達(dá)八百余層,對國巨來說來說,是一重要的技術(shù)突破。
而針對mlcc目前朝向小型化與高電容密度的發(fā)展趨勢來看,胡慶利表示,透過此計劃所累積的技術(shù)將有助于國巨未來開發(fā)出更高階的產(chǎn)品。
但就市場應(yīng)用來看,胡慶利指出,100μf高容值mlcc可應(yīng)用于液晶電視、液晶顯示器、電源供應(yīng)器,及低功耗的手持式消費電子產(chǎn)品。目前,100μf的高容值電容市場是由鉭質(zhì)電容主導(dǎo),而x5r1210100μf積層陶瓷電容的溫度性穩(wěn)定較高,在-55℃至85℃的工作溫度范圍內(nèi),誤差值僅為±15%,生產(chǎn)成品率穩(wěn)定,長期來看有可能在未來取代鉭質(zhì)電容市場需求。
但是,考慮成本效益與目前的市場需求,國巨公司積層陶瓷電容事業(yè)部副總經(jīng)理胡湘麒表示,從市場需求來看,1210100μf并不會是該公司今年的重點。另一顆日前推出的小尺寸060310μf產(chǎn)品,是以計算機(jī)產(chǎn)品應(yīng)用為主,才會是國巨今年高容值mlcc產(chǎn)品的重點。060310μf產(chǎn)品的介電層厚度為1.2微米,堆棧層數(shù)為三百多層;就介電層厚度的技術(shù)指標(biāo)來看,還是一顆高端組件。
胡慶利表示,國巨仍將持續(xù)開發(fā)更高端的高容產(chǎn)品,并同時也會再積極爭取經(jīng)濟(jì)部的相關(guān)研發(fā)計劃,除高容外,高壓、高頻mlcc組件的開發(fā)都有可能是下一階段的提案方向。
國巨公司(yageo)宣布,成功開發(fā)x5r1210100μf(微法拉)高容值積層陶瓷電容(mlcc)。這是國巨公司于2005年7月起獲得2,200萬元補(bǔ)助金,執(zhí)行“經(jīng)濟(jì)部”工業(yè)局“主導(dǎo)性新產(chǎn)品開發(fā)輔導(dǎo)計劃”的研究成果,該計劃已于2006年底結(jié)案。
國巨公司mlcc研發(fā)技術(shù)中心協(xié)理胡慶利博士表示:“x5r1210100μf積層陶瓷電容運用了多項先進(jìn)技術(shù),包括奈米粉體覆蓋、內(nèi)埋式電極、精密印刷、低溫端電極等。藉由整合國巨研發(fā)團(tuán)隊資源以及工研院材化所、臺大材料所的研發(fā)能力,在高容值mlcc產(chǎn)品的開發(fā)上,具備前所未有的指標(biāo)意義!
他解釋說,所謂高容值mlcc的定義是,其電容值大于1μf,以及介電層厚度小于4微米。而這顆1210100μf產(chǎn)品的介電層厚度為1.7~1.8微米,堆棧數(shù)高達(dá)八百余層,對國巨來說來說,是一重要的技術(shù)突破。
而針對mlcc目前朝向小型化與高電容密度的發(fā)展趨勢來看,胡慶利表示,透過此計劃所累積的技術(shù)將有助于國巨未來開發(fā)出更高階的產(chǎn)品。
但就市場應(yīng)用來看,胡慶利指出,100μf高容值mlcc可應(yīng)用于液晶電視、液晶顯示器、電源供應(yīng)器,及低功耗的手持式消費電子產(chǎn)品。目前,100μf的高容值電容市場是由鉭質(zhì)電容主導(dǎo),而x5r1210100μf積層陶瓷電容的溫度性穩(wěn)定較高,在-55℃至85℃的工作溫度范圍內(nèi),誤差值僅為±15%,生產(chǎn)成品率穩(wěn)定,長期來看有可能在未來取代鉭質(zhì)電容市場需求。
但是,考慮成本效益與目前的市場需求,國巨公司積層陶瓷電容事業(yè)部副總經(jīng)理胡湘麒表示,從市場需求來看,1210100μf并不會是該公司今年的重點。另一顆日前推出的小尺寸060310μf產(chǎn)品,是以計算機(jī)產(chǎn)品應(yīng)用為主,才會是國巨今年高容值mlcc產(chǎn)品的重點。060310μf產(chǎn)品的介電層厚度為1.2微米,堆棧層數(shù)為三百多層;就介電層厚度的技術(shù)指標(biāo)來看,還是一顆高端組件。
胡慶利表示,國巨仍將持續(xù)開發(fā)更高端的高容產(chǎn)品,并同時也會再積極爭取經(jīng)濟(jì)部的相關(guān)研發(fā)計劃,除高容外,高壓、高頻mlcc組件的開發(fā)都有可能是下一階段的提案方向。
國巨公司mlcc研發(fā)技術(shù)中心協(xié)理胡慶利博士表示:“x5r1210100μf積層陶瓷電容運用了多項先進(jìn)技術(shù),包括奈米粉體覆蓋、內(nèi)埋式電極、精密印刷、低溫端電極等。藉由整合國巨研發(fā)團(tuán)隊資源以及工研院材化所、臺大材料所的研發(fā)能力,在高容值mlcc產(chǎn)品的開發(fā)上,具備前所未有的指標(biāo)意義!
他解釋說,所謂高容值mlcc的定義是,其電容值大于1μf,以及介電層厚度小于4微米。而這顆1210100μf產(chǎn)品的介電層厚度為1.7~1.8微米,堆棧數(shù)高達(dá)八百余層,對國巨來說來說,是一重要的技術(shù)突破。
而針對mlcc目前朝向小型化與高電容密度的發(fā)展趨勢來看,胡慶利表示,透過此計劃所累積的技術(shù)將有助于國巨未來開發(fā)出更高階的產(chǎn)品。
但就市場應(yīng)用來看,胡慶利指出,100μf高容值mlcc可應(yīng)用于液晶電視、液晶顯示器、電源供應(yīng)器,及低功耗的手持式消費電子產(chǎn)品。目前,100μf的高容值電容市場是由鉭質(zhì)電容主導(dǎo),而x5r1210100μf積層陶瓷電容的溫度性穩(wěn)定較高,在-55℃至85℃的工作溫度范圍內(nèi),誤差值僅為±15%,生產(chǎn)成品率穩(wěn)定,長期來看有可能在未來取代鉭質(zhì)電容市場需求。
但是,考慮成本效益與目前的市場需求,國巨公司積層陶瓷電容事業(yè)部副總經(jīng)理胡湘麒表示,從市場需求來看,1210100μf并不會是該公司今年的重點。另一顆日前推出的小尺寸060310μf產(chǎn)品,是以計算機(jī)產(chǎn)品應(yīng)用為主,才會是國巨今年高容值mlcc產(chǎn)品的重點。060310μf產(chǎn)品的介電層厚度為1.2微米,堆棧層數(shù)為三百多層;就介電層厚度的技術(shù)指標(biāo)來看,還是一顆高端組件。
胡慶利表示,國巨仍將持續(xù)開發(fā)更高端的高容產(chǎn)品,并同時也會再積極爭取經(jīng)濟(jì)部的相關(guān)研發(fā)計劃,除高容外,高壓、高頻mlcc組件的開發(fā)都有可能是下一階段的提案方向。
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