駐極體話筒的連接方法電路圖
發(fā)布時間:2008/6/3 0:00:00 訪問次數(shù):3403
駐極體振膜與背極靠得很近，它們之間的電容約3opf。由于容量小，該電容話筒輸出阻抗很高，約幾十兆歐，所以使用時必須采用阻抗變換器。目前大都采用場效應(yīng)晶體管(一般都用3dj型)接成源極輸出電路，如圖所示。圖中，部分為傳聲器組件(一般場效應(yīng)晶體管與駐極體話筒同裝在一個外殼內(nèi));b部分為連接插頭c;部分為阻抗變換元件(一般都裝在被控制的設(shè)備中)，經(jīng)過變換后的阻抗為1000ω左右。場效應(yīng)晶體管用的電源電壓由控制設(shè)備中取出。
圖:駐極體話筒的連接方法
駐極體振膜與背極靠得很近，它們之間的電容約3opf。由于容量小，該電容話筒輸出阻抗很高，約幾十兆歐，所以使用時必須采用阻抗變換器。目前大都采用場效應(yīng)晶體管(一般都用3dj型)接成源極輸出電路，如圖所示。圖中，部分為傳聲器組件(一般場效應(yīng)晶體管與駐極體話筒同裝在一個外殼內(nèi));b部分為連接插頭c;部分為阻抗變換元件(一般都裝在被控制的設(shè)備中)，經(jīng)過變換后的阻抗為1000ω左右。場效應(yīng)晶體管用的電源電壓由控制設(shè)備中取出。
圖:駐極體話筒的連接方法
上一篇：壓電陶瓷片的特點
上一篇：駐極體話筒的四種接法
相關(guān)技術(shù)資料- 7-26MOSFET 電感單片降壓開關(guān)模式變換器優(yōu)勢特征
- 7-26SiC MOSFET 和 IGBT 隔離式柵極驅(qū)動器應(yīng)用
- 7-26新型 電隔離無芯線性霍爾效應(yīng)電流傳感器
- 7-26業(yè)界超小絕對位置編碼器技術(shù)參數(shù)設(shè)計
- 7-26高帶寬、更高分辨率磁角度傳感技術(shù)應(yīng)用探究
- 7-26MagAlpha 角度位置傳感器應(yīng)用詳解
- 7-25新一代 Cat 1 bis 技術(shù)應(yīng)用簡述
- 7-25世界上最小開源 LoRa + GPS 模塊應(yīng)用探究
- 7-25集成 ±0.2°C 溫度傳感器產(chǎn)品詳情
- 7-25輸出數(shù)字功率監(jiān)測器INA745BQWRELRQ1
- 7-25高性能超緊湊型OSRAM CT ELLN51.14片式
- 7-25帶單線HDQ接口和溫度傳感器BQ2028
- 相關(guān)IC型號
熱門點擊
- 駐極體話筒的連接方法電路圖
- 電池盒銹蝕后如何處理的介紹
- KA3843集成電路的引腳功能及數(shù)據(jù)介紹
- KA78R12集成電路的引腳功能及數(shù)據(jù)介紹
- 如何應(yīng)用數(shù)字電位器
- 固態(tài)繼電器典型應(yīng)用電路的介紹
- KA7552集成電路的引腳功能及數(shù)據(jù)介紹
- 干簧繼電器的介紹
- LA1140集成電路的引腳功能及數(shù)據(jù)介紹
- 如何應(yīng)用正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻
推薦技術(shù)資料
- FU-19推挽功放制作
- FU-19是國產(chǎn)大功率發(fā)射雙四極功率電二管，EPL20... [詳細]
- MOSFET 電感單片降壓開關(guān)模式變換器優(yōu)勢
- SiC MOSFET 和 IG
- 新型 電隔離無芯線性霍爾效應(yīng)電
- 業(yè)界超小絕對位置編碼器技術(shù)參數(shù)設(shè)計
- 高帶寬、更高分辨率磁角度傳感技術(shù)應(yīng)用探究
- MagAlpha 角度位置傳感
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
