領(lǐng)先的光刻系統(tǒng)供應(yīng)商的研究表明，在45nm工藝中，晶片平面度的細(xì)微差異會(huì)消耗高達(dá)50%的關(guān)鍵光刻焦深預(yù)算。在 kla-tencor公司wafersight 1系統(tǒng)占據(jù)市場(chǎng)領(lǐng)先地位的基礎(chǔ)上，wafersight 2系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)更嚴(yán)格的裸晶片平面度規(guī)格，并幫助芯片制造商戰(zhàn)勝焦深挑戰(zhàn)，其快速精確的新一代45nm平面度測(cè)量功能將讓晶片制造商和集成電路公司雙雙獲益。

　　kla-tencor 的成長(zhǎng)與新興市場(chǎng)副總裁 jeff donnelly 表示：“在 45nm 及更小尺寸級(jí)別，晶片平面度、形狀及表面形貌的差異對(duì)制程區(qū)段、光刻優(yōu)率及其它制造工藝的影響更大。與先前的 ade wafersight 1 相比，新型 wafersight 2 系統(tǒng)具備更佳的光學(xué)與測(cè)量隔離，可實(shí)現(xiàn)更高的分辨率、匹配率和精確度，不僅能幫助晶片制造商大幅提升其制造規(guī)格，以滿足 45nm 的要求，還能讓芯片制造商測(cè)量將要使用的晶片，以確保生產(chǎn)的工藝質(zhì)量。同時(shí)，這套系統(tǒng)的產(chǎn)能可降低運(yùn)營(yíng)成本，并提高效率�！�

　　納米形貌控制已成為45nm 節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵，因?yàn)樗腔瘜W(xué)機(jī)械研磨(cmp) 中縮小制程極限的根本，且會(huì)引起光刻中的微距量測(cè)(cd) 差異。新型wafersight 2 具備業(yè)界領(lǐng)先的納米形貌測(cè)量性能和更高精度，并且是第一個(gè)以單一非破壞性測(cè)量方式進(jìn)行前后兩面納米形貌測(cè)量的系統(tǒng)。

　　wafersight 2將平面度和納米形貌測(cè)量合并在一個(gè)系統(tǒng)上，與多工具解決方案相比，可縮短周期時(shí)間，減少在制品(wip) 的排隊(duì)與移動(dòng)時(shí)間，縮小所占空間，并提高設(shè)施的使用效率。wafersight 2還可與kla-tencor的數(shù)據(jù)管理系統(tǒng) fabvision無(wú)縫結(jié)合，形成一套可離線分析存檔數(shù)據(jù)或當(dāng)前度量數(shù)據(jù)的完整解決方案，并可提供完全自定義的圖表和報(bào)告。

　　wafersight 2 測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)合作伙伴soitec 公司的soi 產(chǎn)品平臺(tái)副總裁christophe maleville 表示：“我們對(duì)wafersight 2 系統(tǒng)的評(píng)估表明，這套工具的所有測(cè)量模式在同類(lèi)產(chǎn)品中均具備領(lǐng)先性能，可提供卓越的長(zhǎng)期重復(fù)能力與測(cè)量穩(wěn)定性。wafersight 2 系統(tǒng)的先進(jìn)性能使其適合于新一代 45nm 生產(chǎn)，且在評(píng)估測(cè)試階段和實(shí)際生產(chǎn)中，均表現(xiàn)出極佳的穩(wěn)定性。wafersight 2 度量系統(tǒng)已被接受用于硅和 soi 生產(chǎn)，且將成為soitec 以后晶片幾何度量的一個(gè)關(guān)鍵系統(tǒng)�！�